本发明提供一种正装LED芯片制备方法，本发明通过在第四半成品芯片上的透明导电薄膜上进行一道光刻，形成PD1的图案掩膜，并且PD1的图案掩膜具体为导电电极，PD1的图案掩膜相比于常规图案掩膜较小，且由于导电电极只起到欧姆接触的作用，并且PD1的图案掩膜相比于常规图案掩膜较小，因此可以有效的防止金属迁移，并通过在第五半成品芯片上沉积电极支撑层，电极支撑层不仅能够起到绝缘保护的作用，也可以对导电电极的金属迁移进行进一步的抑制，从而提升该芯片的可靠性。