发明公开
CN115882340A 半导体激光器
审中-实审
- 专利标题: 半导体激光器
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申请号: CN202211575235.4申请日: 2022-12-08
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公开(公告)号: CN115882340A公开(公告)日: 2023-03-31
- 发明人: 贺永贵 , 赵森 , 蔡万绍 , 王先兆
- 申请人: 深圳活力激光技术有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市宝安区福海街道展城社区重庆路富尔达厂区厂房二栋302
- 专利权人: 深圳活力激光技术有限公司
- 当前专利权人: 深圳活力激光技术有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市宝安区福海街道展城社区重庆路富尔达厂区厂房二栋302
- 代理机构: 深圳市威世博知识产权代理事务所
- 代理商 泉雨昕
- 优先权: 2022114313985 20221114 CN
- 主分类号: H01S5/40
- IPC分类号: H01S5/40 ; H01S5/024 ; H01S5/00 ; H01S5/02253
摘要:
本申请公开了一种半导体激光器,属于激光器技术领域。半导体激光器包括热沉、第一激光单元以及第二激光单元;第一激光单元包括多个对应设置的第一单管激光器、第一快轴准直透镜以及第一慢轴准直透镜,第二激光单元包括多个对应设置的第二单管激光器、第二快轴准直透镜以及第二慢轴准直透镜。本申请所提供的半导体激光器,每个第一单管激光器均可以利用相对一侧对应设置的两个相邻排列的第二单管激光器之间的间隙出射,将第二单管激光器的长度作为第一单管激光器发出光束的慢轴准直传播路径的一部分;相应地,将第一单管激光器的长度作为第二单管激光器发出光束的慢轴准直传播路径的一部分,可减少双排多单管激光器的横向宽度。