本发明涉及一种提升LED芯片侧面出光效率的方法。步骤如下：(1)提供LED外延片，在外延片GaN层上生长SiO2薄膜；(2)在SiO2薄膜上均匀地涂覆光刻胶，制作光刻胶掩膜图形；(3)将外延片放入缓冲氧化物刻蚀液中腐蚀50～150s；(4)将外延片进行ICP干法刻蚀，形成MESA结构；(5)将外延片进行常规去胶作业，并制备透明导电层、蒸镀P/N电极和制备钝化层。本发明制作的LED芯片具有两段斜坡的MESA结构，首先增加了LED芯片的出光面积；其次增加了侧面出光路线中的角度组合，增加了GaN内部的波导或多次反射的光线的逃逸机会；最后更有利于发自MQW的光线横向传播的一次出光，相较于常规MESA结构的LED芯片发光效率提高了1.2％以上。