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公开(公告)号：CN117148085A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311078513.X
申请日：2023-08-25
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种用于发光二极管失效分析的芯片剥离方法，属于半导体技术领域。剥离步骤如下：(1)将封装的发光二极管用去离子水超声清洗；(2)将清洗后的发光二极管放置于高压容器中,加入去离子水进行蒸煮；(3)将蒸煮后的发光二极管取出，用刀片沿支架表面与芯片底部水平位置切割，使封装胶体连同芯片一起从支架分离；(4)在体式显微镜下观察分离后的封装胶体底部，使用尖头刀片从芯片旁边位置向下挖，将芯片连同少部分封装胶体一同撬下；(5)用刀片或镊子将撬下的芯片周围的封装胶体去除，得到完整、表面洁净的发光二极管芯片。本发明绿色环保、操作简单，且剥离得到的发光二极管芯片表面洁净，无二次污染损坏。
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公开(公告)号：CN114664984A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210321794.6
申请日：2022-03-25
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/683
摘要： 本发明公开一种芯片切割后处理方法，包括如下步骤：(1)将电极面贴覆了白膜的芯片沿着电极面垂直方向及平行方向划片。(2)去除芯片电极面上的白膜，然后在芯片的非电极面贴上白膜，沿着所述非电极面垂直方向及平行方向划片，并保留非电极面上的白膜。(3)沿着芯片的电极面切割道中心对芯片进行垂直方向及平行方向劈裂。(4)清洗劈裂完成的芯片，然后对白膜进行微括处理，完成后对芯片进行倒膜，使芯片非电极面朝向蓝膜粘贴面；然后对芯片进行加热扩膜，即可。本发明的方法解决了切割后芯片崩边、崩角、残胶污染的问题，显著提升了切割良率。同时，该方法无需增加额外设备及材料，易于工业化实现。
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公开(公告)号：CN117954559A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211273309.9
申请日：2022-10-18
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明公开一种防水汽侵蚀的LED芯片，包括连接在衬底上表面、间隔分布且等高的P极和N极。所述P极和N极从下到上均依次包括：下N型氮化镓层、上N型氮化镓层、多量子阱发光层、P型氮化镓层；其中，所述P极对应的P型氮化镓层的上表面连接有P电极，所述N极对应的上N型氮化镓掺杂层、多量子阱发光层、P型氮化镓层的外表面被N电极覆盖，且除了P电极和N电极的顶面之外的其余外表面均被防护层覆盖。本发明的工艺可制备出只将P电极和N电极暴露，而其余表面均被保护层密封保护的LED芯片，这种结构的LED芯片可以可有效防止水汽对LED芯片的侵入，防止芯片内部金属材料的电化学反应，有效提升芯片使用寿命，降低芯片失效率。
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公开(公告)号：CN115911191A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202110992519.2
申请日：2021-08-27
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种提升LED芯片侧面出光效率的方法。步骤如下：(1)提供LED外延片，在外延片GaN层上生长SiO2薄膜；(2)在SiO2薄膜上均匀地涂覆光刻胶，制作光刻胶掩膜图形；(3)将外延片放入缓冲氧化物刻蚀液中腐蚀50～150s；(4)将外延片进行ICP干法刻蚀，形成MESA结构；(5)将外延片进行常规去胶作业，并制备透明导电层、蒸镀P/N电极和制备钝化层。本发明制作的LED芯片具有两段斜坡的MESA结构，首先增加了LED芯片的出光面积；其次增加了侧面出光路线中的角度组合，增加了GaN内部的波导或多次反射的光线的逃逸机会；最后更有利于发自MQW的光线横向传播的一次出光，相较于常规MESA结构的LED芯片发光效率提高了1.2％以上。
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