发明公开
- 专利标题: 一种硅基片上电感及其制作方法
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申请号: CN202310225334.8申请日: 2023-03-10
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公开(公告)号: CN115954339A公开(公告)日: 2023-04-11
- 发明人: 李晓宇 , 吴薄 , 王梦佳 , 兰洋 , 顾杰斌 , 彭根斋 , 唐宝权 , 蒋运石 , 张志红 , 张芦 , 闫欢
- 申请人: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
- 申请人地址: 四川省绵阳市滨河北路西段268号
- 专利权人: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
- 当前专利权人: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
- 当前专利权人地址: 四川省绵阳市滨河北路西段268号
- 代理机构: 绵阳市博图知识产权代理事务所
- 代理商 杨金涛
- 主分类号: H01L23/522
- IPC分类号: H01L23/522 ; H01L23/64 ; H10N97/00 ; B81B7/02 ; H01F27/28 ; H01F27/30 ; H01F27/26 ; H01F17/04
摘要:
本发明公开了一种硅基片上电感,属于电感器件技术领域,包括硅支架(9)、金属线圈(10)、磁环(11)和电极(12),其中,所述金属线圈(10)通过绕线的方式绕制在硅支架(9)上面并通过堆叠的方式实现线圈闭环,所述磁环(11)绕制在金属线圈(10)中间,所述电极(12)堆叠在电感上并与金属线圈(10)实现互联,本发明还公开了上述电感的制作方法,所述方法包括制作线圈硅片、制作电极硅片以及铸造制备器件等步骤;本发明制备的螺线管式电感器具有占用芯片面积小、涡流损耗小和电感值较高等的优点。
公开/授权文献
- CN115954339B 一种硅基片上电感及其制作方法 公开/授权日:2023-07-07
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