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公开(公告)号：CN119560751A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411711829.2
申请日：2024-11-27
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种高级间隔离度双结微带环行器隔离器电路结构，属于微波器件领域，本发明的新级间匹配电路结构缩短电感长度，同时改变与之匹配的电容，可有效减小产品平面尺寸；三段匹配短截线级间电路结构设计，补偿两个环行结之间的连接线长度，能有效提升双结微带环行器隔离器级间隔离度；结合上述两种设计，将在尺寸不变或减小的情况下，将双结微带环行器隔离器级间隔离度提升3dB以上。
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公开(公告)号：CN119082871A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411099328.3
申请日：2024-08-12
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种单晶厚膜异质外延生长的方法，属于铁氧体单晶膜材料生长技术，所述方法为：首先在不低于500℃的温度下对衬底进行气态离子注入，然后使用液相外延法生长；本发明提供了一种新的衬底处理方式，在液相外延的过程中可以有效改善因单晶膜与衬底间的热膨胀系数不同造成的外延生长开裂问题，本发明提供的方法技术难度小，生长出的单晶膜完整性高，适合工业化生产应用。
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公开(公告)号：CN118441251B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410904023.9
申请日：2024-07-08
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种非晶软磁薄膜材料、其制备方法及应用，属于磁性材料与元器件技术领域，其制备方法包括基片清洗、靶材清洗、沉积软磁材料层和沉积绝缘层等步骤，其中，在沉积软磁材料层时，施加偏置磁场，本发明通过在薄膜制备过程中施加原位偏置磁场，感生出面内单轴各向异性场，诱导面内单轴各向异性，并调控面内单轴各向异性场数值，从而实现对软磁薄膜截止频率的调节，应用于电感器件能够满足小型化、高频化、集成化的需要，并且该方法具有工艺简单、无多余工艺步骤、偏置磁场大小可控等优点。
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公开(公告)号：CN118448837B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410903975.9
申请日：2024-07-08
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种短波功率合成器，属于合成器技术领域，包括合成器外壳（1），在所述合成器外壳（1）内设置有上层板（8）和下层板（9），在所述下层板（9）上设置有输入同轴接头（2）和平衡电阻（4），在所述上层板（8）上方设置有输出同轴接头（3），还包括至少四路输入电路，每一路输入电路包含一个匹配单元，所述匹配单元包括匹配电容C1（5）、匹配电感L1（6）和总匹配电容C2（7），所述匹配单元的匹配电容C1（5）和匹配电感L1（6）设置于所述上层板（8）；本发明的合成器大幅减轻的重量、减小了体积，有效进行了阻抗匹配，降低端口驻波和传输损耗，有效地降低了合成器发热，提高了合成器的合成效率。
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公开(公告)号：CN118330275B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410774093.7
申请日：2024-06-17
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种用于深腔测试的射频探针及测试方法，属于射频测试技术领域，包括弹性针尖（1）、微波吸收体（2）、固定座（3）、射频连接器组件（4）和线缆固定支架（5），其中，所述射频连接器组件（4）包括连接器部分和线缆部分，所述弹性针尖（1）设置于线缆部分的末端，所述线缆部分固定于线缆固定支架（5）上，测试方法为先根据测试高度H及测试角度θ设计制作线缆固定支架（5），再将所述射频连接器组件（4）的线缆部分弯折至与所述线缆固定支架（5）重合，然后再用紧固胶固定；本发明解决了特殊测试情况常规探针无法满足测试的问题，减少芯片排版设计压力，提升了芯片设计的灵活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118295159B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410721962.X
申请日：2024-06-05
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明公开了一种无胶化法拉第旋光器，属于激光光学无源器件技术领域，包括扇形磁瓦组和用于固定所述扇形磁瓦组的扇形磁瓦固定装置，在所述扇形磁瓦中心位置设置有磁光晶体和用于固定所述磁光晶体的磁光晶体固定装置；本发明解决了因分离式磁体的强磁特性而需磁体胶粘接固定的工艺，且磁光晶体固定方式避免使用有机胶，保证了法拉第旋光器的光路及磁路均无胶化，在特高功率激光辐照下，可避免因胶粘剂升温脆化而产生挥发性物质的风险，在真空环境下具有良好的可靠性、稳定性及使用寿命。
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公开(公告)号：CN118519077A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410420365.3
申请日：2024-04-09
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明公开了一种行波管永磁环横向磁通密度与轴向峰值磁通密度比值的测量方法及装置，属于行波管永磁环磁特性测量领域，所述测量方法采用三维亥姆霍兹线圈和数字磁通计进行测量，具体包括信息采集步骤、测量步骤和数据处理步骤，本发明将永磁环中心点磁通密度的单点测量转化为永磁环整体的磁通测量，无需专用测量工装，通用性强；可实现对不同尺寸永磁环横向磁通密度与轴向峰值磁通密度比值的快速筛选，适用范围广；测量过程操作简单，测试重复性高，测量效率高。
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公开(公告)号：CN118497856A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410593942.9
申请日：2024-05-14
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种耐高温铝合金导电氧化层的制备方法，属于金属材料表面处理技术领域，其步骤依次包括：上挂、一次除油、干燥、二次除油、碱蚀、去灰、清洗、导电氧化、干燥和下挂，在所述导电氧化步骤中，采用的氧化液的配方为：三氧化铬3.5‑4.0g/L，铁氰化钾0.5‑1.0g/L，氟化钠1.0‑1.2g/L，硼酸1.0‑1.2g/L；氧化温度为6‑11℃，氧化时间为150±10s；采用本发明的方法得到的导电氧化层具有很好的耐磨与耐蚀性，同时还能保证在150℃下烘烤1小h不会发生花斑、阴阳腔、氧化膜脱落等情况。
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公开(公告)号：CN118495938A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410601399.2
申请日：2024-05-15
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/626 , H01F1/34
Abstract: 本发明公开了一种低温下兼具低功耗和高磁导率稳定性的锰锌铁氧体材料及其制备方法，所述材料的原料包括主成分及辅助成分，所述主成分以质量百分比计为，70％～72％的Fe2O3，18％～19％的MnO及10％～11％的ZnO，合计100%；所述辅助成分包括下列原料中的至少四种：CaCO3、V2O5、Nb2O5和Co2O3；本发明通过主成分与辅助成分的联合作用，以及与之匹配的磁心制备工艺，使材料的功耗谷点出现在低温段，在‑40℃～120℃条件下的整个应用温度范围内，保持低功率损耗和优异的磁导率温度稳定性，100kHz、200mT条件下的功率损耗≤500 kW/m3，磁导率变化幅度为4700±15%，解决了电子产品涉及低温使用环境下宽温低功耗及高磁导率温度稳定性的要求。
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公开(公告)号：CN117879540B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410277052.7
申请日：2024-03-12
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H03H21/00 , G01C17/02 , G01P15/105 , G06F17/16 , G06F17/18
Abstract: 本发明公开了一种基于改进卡尔曼滤波的磁罗盘传感器自适应信号滤波方法，属于信号处理领域，其方法为在常规卡尔曼滤波方程的基础上，增设系统协方差矩阵修正参数#imgabs0#，并优选增设条件阈值#imgabs1#和系统特性修正系数#imgabs2#；本发明的方法在滤波过程中能够根据当前测量值的情况而自适应调整数字滤波器卡尔曼增益#imgabs3#，达到保证传感器数据具有较高滤波精度的基础上，满足磁罗盘实时解算输出姿态角的功能需求，有效降低传统滤波时滞的效果。
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