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公开(公告)号：CN118381492A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410817627.X
申请日：2024-06-24
IPC分类号： H03K17/10 , H03K17/041 , H03K17/081 , H03K17/74 , H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种大功率PIN电子开关高压隔离驱动电路，包括电源转换单元和驱动控制单元；所述电源转换单元用于为驱动控制单元供电，所述驱动控制单元包括施密特反向器、隔离驱动芯片U1、非隔离驱动芯片U2、开关管Q1、开关管Q2；施密特反向器用于输出两路互补的控制信号DRI和/DRI，DRI经U1控制Q1，/DRI经U2控制Q2；通过控制Q1和Q2的开通与关断，实现对射频PIN开关管D1的控制。本发明驱动电压可达到1000V以上，可用于驱动射频功率超过5000W的PIN电子开关，相较于传统的集成驱动芯片或者三极管驱动电路大大提高了驱动电压，提升了PIN开关的功率容量。此外，本发明还具有电路结构简单，成本低廉，功耗低，响应速度快的特点。
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公开(公告)号：CN115954339A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310225334.8
申请日：2023-03-10
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/64 , H10N97/00 , B81B7/02 , H01F27/28 , H01F27/30 , H01F27/26 , H01F17/04
摘要： 本发明公开了一种硅基片上电感，属于电感器件技术领域，包括硅支架（9）、金属线圈（10）、磁环（11）和电极（12），其中，所述金属线圈（10）通过绕线的方式绕制在硅支架（9）上面并通过堆叠的方式实现线圈闭环，所述磁环（11）绕制在金属线圈（10）中间，所述电极（12）堆叠在电感上并与金属线圈（10）实现互联，本发明还公开了上述电感的制作方法，所述方法包括制作线圈硅片、制作电极硅片以及铸造制备器件等步骤；本发明制备的螺线管式电感器具有占用芯片面积小、涡流损耗小和电感值较高等的优点。
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公开(公告)号：CN114709578A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210634202.6
申请日：2022-06-07
IPC分类号： H01P1/39
摘要： 本发明公开了一种基于陶瓷导热的L波段大功率波导环行器，属于微波元器件领域，采用高场设计，设计归一化内场为1.4～1.7，仿真设计内场为52000～63143A/m，包括腔体，所述腔体上设置有磁轭（1），在所述腔体内设置有冷却管路（2），在所述上腔体（3）上设置磁体组合（6），在所述腔体内设置由焊接板（8）、铁氧体（9）和陶瓷（10）组成的旋磁组合体（7），所述铁氧体（9）的磁矩为400 gauss～800 gauss；本发明采用高场设计，实现1.3GHz波导环行器在5kW‑10kW的平均功率耐受，杜绝了器件在高功率下的非线性效应；并且降低器件在高场设计时的磁化难度，减小器件磁体磁化高度。
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公开(公告)号：CN117335113B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311634176.8
申请日：2023-12-01
摘要： 本发明公开了一种外加磁场的宽带大功率负载，属于微波元器件领域，包括为器件提供封闭磁路的上下磁屏蔽板和侧面磁屏蔽板，在由所述上下磁屏蔽板和侧面磁屏蔽板围合而成的长方体内设置有波导腔体、永磁体、吸收体和吸收体载体，所述波导腔体采用标准矩形波导口设计，波导口的匹配直段长度为负载标准波导口的窄边长度的1/3～1.5倍；其斜劈直段长度为标准波导口长边的2～4倍；其匹配斜劈角度为5～15°；本发明可实现兆瓦级的高峰值功率设计；可实现小尺寸轻量化的波导负载设计；本发明可实现永磁磁化调节宽频带的吸收性能，将负载整个频段驻波设置在1.15以下。
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公开(公告)号：CN114156621B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210115351.1
申请日：2022-02-07
摘要： 本发明公开了一种基于MEMS技术的通讯用集总参数环行器及其制作方法，属于微波元器件技术领域，包括硅主基片，在所述硅主基片下方设置有硅副基片，在硅主基片上方设置有至少两层聚酰亚胺薄膜；在所述硅主基片和硅副基片的上表面和下表面均制作有电路图案，所述硅主基片与硅副基片通过金属过孔和键合的方式互联；每层聚酰亚胺薄膜上也制作有电路图案，并通过聚酰亚胺薄膜上的金属化过孔与下层的电路互联；本发明的利用MEMS工艺技术制作的集总参数微带环行器，尺寸小至3×3mm，具有工艺成熟，速度快、成本低、效率高且一致性好等优点，适合大批量生产，同时可以有效减小铁氧体和器件的尺寸，为更小的如2×2mm、1×1mm器件的打下了工艺基础。
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公开(公告)号：CN114156621A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202210115351.1
申请日：2022-02-07
摘要： 本发明公开了一种基于MEMS技术的通讯用集总参数环行器及其制作方法，属于微波元器件技术领域，包括硅主基片，在所述硅主基片下方设置有硅副基片，在硅主基片上方设置有至少两层聚酰亚胺薄膜；在所述硅主基片和硅副基片的上表面和下表面均制作有电路图案，所述硅主基片与硅副基片通过金属过孔和键合的方式互联；每层聚酰亚胺薄膜上也制作有电路图案，并通过聚酰亚胺薄膜上的金属化过孔与下层的电路互联；本发明的利用MEMS工艺技术制作的集总参数微带环行器，尺寸小至3×3mm，具有工艺成熟，速度快、成本低、效率高且一致性好等优点，适合大批量生产，同时可以有效减小铁氧体和器件的尺寸，为更小的如2×2mm、1×1mm器件的打下了工艺基础。
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公开(公告)号：CN118381492B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410817627.X
申请日：2024-06-24
IPC分类号： H03K17/10 , H03K17/041 , H03K17/081 , H03K17/74 , H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种大功率PIN电子开关高压隔离驱动电路，包括电源转换单元和驱动控制单元；所述电源转换单元用于为驱动控制单元供电，所述驱动控制单元包括施密特反向器、隔离驱动芯片U1、非隔离驱动芯片U2、开关管Q1、开关管Q2；施密特反向器用于输出两路互补的控制信号DRI和/DRI，DRI经U1控制Q1，/DRI经U2控制Q2；通过控制Q1和Q2的开通与关断，实现对射频PIN开关管D1的控制。本发明驱动电压可达到1000V以上，可用于驱动射频功率超过5000W的PIN电子开关，相较于传统的集成驱动芯片或者三极管驱动电路大大提高了驱动电压，提升了PIN开关的功率容量。此外，本发明还具有电路结构简单，成本低廉，功耗低，响应速度快的特点。
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公开(公告)号：CN117335113A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311634176.8
申请日：2023-12-01
摘要： 本发明公开了一种外加磁场的宽带大功率负载，属于微波元器件领域，包括为器件提供封闭磁路的上下磁屏蔽板和侧面磁屏蔽板，在由所述上下磁屏蔽板和侧面磁屏蔽板围合而成的长方体内设置有波导腔体、永磁体、吸收体和吸收体载体，所述波导腔体采用标准矩形波导口设计，波导口的匹配直段长度为负载标准波导口的窄边长度的1/3～1.5倍；其斜劈直段长度为标准波导口长边的2～4倍；其匹配斜劈角度为5～15°；本发明可实现兆瓦级的高峰值功率设计；可实现小尺寸轻量化的波导负载设计；本发明可实现永磁磁化调节宽频带的吸收性能，将负载整个频段驻波设置在1.15以下。
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公开(公告)号：CN115954339B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310225334.8
申请日：2023-03-10
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/64 , H10N97/00 , B81B7/02 , H01F27/28 , H01F27/30 , H01F27/26 , H01F17/04
摘要： 本发明公开了一种硅基片上电感，属于电感器件技术领域，包括硅支架（9）、金属线圈（10）、磁环（11）和电极（12），其中，所述金属线圈（10）通过绕线的方式绕制在硅支架（9）上面并通过堆叠的方式实现线圈闭环，所述磁环（11）绕制在金属线圈（10）中间，所述电极（12）堆叠在电感上并与金属线圈（10）实现互联，本发明还公开了上述电感的制作方法，所述方法包括制作线圈硅片、制作电极硅片以及铸造制备器件等步骤；本发明制备的螺线管式电感器具有占用芯片面积小、涡流损耗小和电感值较高等的优点。
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公开(公告)号：CN114709578B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210634202.6
申请日：2022-06-07
IPC分类号： H01P1/39
摘要： 本发明公开了一种基于陶瓷导热的L波段大功率波导环行器，属于微波元器件领域，采用高场设计，设计归一化内场为1.4～1.7，仿真设计内场为52000～63143A/m，包括腔体，所述腔体上设置有磁轭（1），在所述腔体内设置有冷却管路（2），在所述上腔体（3）上设置磁体组合（6），在所述腔体内设置由焊接板（8）、铁氧体（9）和陶瓷（10）组成的旋磁组合体（7），所述铁氧体（9）的磁矩为400 gauss～800 gauss；本发明采用高场设计，实现1.3GHz波导环行器在5kW‑10kW的平均功率耐受，杜绝了器件在高功率下的非线性效应；并且降低器件在高场设计时的磁化难度，减小器件磁体磁化高度。
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