- 专利标题: 三维连续多孔碳基预制体及其在制备SiC基复合材料中的应用
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申请号: CN202310137104.6申请日: 2023-02-20
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公开(公告)号: CN116063091B公开(公告)日: 2024-05-10
- 发明人: 刘磊 , 冯薇 , 杨忠 , 白亚平 , 郭巧琴 , 杨伟
- 申请人: 西安工业大学
- 申请人地址: 陕西省西安市金花北路4号
- 专利权人: 西安工业大学
- 当前专利权人: 西安工业大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市金花北路4号
- 代理机构: 西安铭泽知识产权代理事务所
- 代理商 卢会刚
- 主分类号: C04B35/78
- IPC分类号: C04B35/78 ; C04B35/565 ; C04B35/622
摘要:
本发明属于无机非金属混杂金属基体复合材料制备技术领域,具体来说是三维连续多孔碳基预制体及其在制备SiC基复合材料中的应用,本发明针对以多孔碳为单一碳基体、Si‑Al为主渗透剂在1400℃以下反应熔渗制备SiC基复合材料时,出现的增强相存在高温反应损伤或有效渗透深度不足问题,提供一种多孔碳骨架‑三维连续多孔碳基预制体,并将其应用于SiC基复合材料的制备中,目的在于解决增强相高温反应损伤、碳的动力学活性不足严重降低反应熔渗速率,以及湿热反应抑制反应熔渗的问题。
公开/授权文献
- CN116063091A 三维连续多孔碳基预制体及其在制备SiC基复合材料中的应用 公开/授权日:2023-05-05
IPC分类: