本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法使用等离子体处理装置利用等离子体对基片进行处理，包括基于处理方案进行控制的控制工序，处理方案由多个处理步骤构成，对每个处理步骤设定了用于对基片进行处理的多个处理参数各自的参数值，在控制工序中，在将处理方案与预先确定的点火参照数据进行对照的结果是判断为难以通过基于该处理方案的控制使等离子体稳定地点火的情况下，执行包括等离子体的点火的处理步骤时，在经过等离子体达到稳定的稳定时间为止的期间，将多个处理参数中的一部分处理参数替换为与所设定的参数值不同的点火用参数值来进行控制，在经过稳定时间后，使用一部分处理参数的原来设定的参数值进行控制。