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公开(公告)号：CN115522181B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202210681604.1
申请日：2022-06-15
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/54 , C23C16/44
摘要： 本发明提供提高生产率的成膜装置和成膜方法。成膜装置对基板进行ALD成膜，具备处理腔室，其具有：旋转滚筒，将基板保持于与旋转轴线平行的保持侧面；主体部，收纳旋转滚筒，具有：多个处理室，与保持侧面相对，具有与旋转轴线平行的方向成为长度方向的长条状的处理空间；排气部，配置到多个处理室的各个之间，多个处理室至少包括：原料气体吸附室，使原料气体吸附于基板；等离子体反应室，从反应气体生成与原料气体反应的等离子体，具备：框体；长条状的金属窗，由与保持侧面相对且在等离子体反应室的长度方向以第1间隔配置成直线状的多个分割窗构成，配置为在沿着长度方向延伸的边上以与框体之间具有比第1间隔宽的第2间隔；矩形线圈天线。
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公开(公告)号：CN117438363A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310843831.4
申请日：2023-07-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/683 , H01J37/20 , H01J37/32
摘要： 本发明提供能够使基板较佳地保持于旋转滚筒的外周面的基板处理装置、基板保持装置以及基板保持方法。基板处理装置具备：圆筒形或者圆柱形的旋转滚筒，其具有沿长度方向延伸的旋转轴线；双极静电保持盘，其配置于所述旋转滚筒的外周面；以及至少两个侧部按压机构，其与所述旋转滚筒的外周面的两端部各自相对，并具有能够相对于所述旋转滚筒的外周面进退的按压销。
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公开(公告)号：CN113301701A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110180584.5
申请日：2021-02-08
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供使等离子体密度的均匀性提高的天线段和电感耦合等离子体处理装置。一种天线段，其通过呈筒状卷绕天线线材而形成，由所述天线线材的局部形成第1平面，其中，该天线段包括：第1天线线材，其位于卷绕轴线方向上的一侧且至少局部形成所述第1平面；以及第2天线线材，其位于所述卷绕轴线方向上的另一侧且形成所述第1平面，所述第1天线线材具有：平面上天线部，其形成所述第1平面；层叠天线部，其与所述第2天线线材分离开地配置于该第2天线线材上方；以及连结部，其连接所述平面上天线部和所述层叠天线部。
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公开(公告)号：CN105742146B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201510993810.6
申请日：2015-12-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/50 , C23C16/513 , H01L21/683
摘要： 在进行等离子体处理时使用的、具有聚焦环(6)的载置台(2)中，抑制由垂直方向的电场引起的聚焦环的削减，从而降低粒子。使载置有玻璃基板G的载置台主体成为侧周面为平坦的柱状的构造，在聚焦环的下方侧，以包围载置台主体且与载置台主体的侧周面接触的方式设置侧部绝缘部件。因此，在聚焦环的正下方不存在载置台主体，所以在聚焦环不产生垂直方向的电场，能够抑制聚焦环的削减。此外，通过使侧部绝缘部件(31)与下部电极(20)的侧周面压接，使辅助绝缘部件(32)与绝缘间隔部件压接，并且使侧部绝缘部件和辅助绝缘部件之间的间隙成为曲径构造，能够抑制异常放电。
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公开(公告)号：CN103811262B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201310565810.7
申请日：2013-11-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供能够使用金属窗对大型的被处理基板进行均匀的等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。本发明的电感耦合等离子体处理装置对矩形的基板实施电感耦合等离子体处理，具备：收容基板的处理室；用于在处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和配置在生成电感耦合等离子体的等离子体生成区域与高频天线之间，与基板对应地设置的呈矩形的金属窗，金属窗（2）以电绝缘的方式被分割成包括长边（2a）的第一区域（201）和包括短边（2b）的第二区域（202），其中，第二区域（202）的径向的宽度（a）与第一区域（201）的径向的宽度（b）之比a/b在0.8以上1.2以下的范围。
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公开(公告)号：CN102280338B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201110154174.X
申请日：2011-06-02
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明的课题在于提供一种能够抑制设置于电介质窗的内侧的电介质保护罩局部地削减而消耗，能够通过电介质保护罩的长寿命化实现生产性的提高的等离子体处理装置及其电介质窗结构。在配设于电介质窗的外侧的高频天线施加高频电力从而在处理空间产生电感耦合等离子体的等离子体处理装置，电介质窗具备：窗部件，其以夹装于处理空间与高频天线之间的方式被配设，并由电介质构成；梁部件，其用于支承窗部件；电介质保护罩，其覆盖窗部件的处理空间侧的面以及梁部件的处理空间侧的面，从而保护来自等离子体的腐蚀；以及低电容率电介质层，其至少设置于梁部件与电介质保护罩之间，且由具有比保护罩的电容率更低的电容率的材料形成。
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公开(公告)号：CN101159228B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200710154446.X
申请日：2007-09-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/67 , C23F4/00 , C23C16/455 , C30B25/14 , H05H1/00 , H01J37/32 , F17D1/04
摘要： 本发明涉及处理气体供给机构、供给方法及气体处理装置，该处理气体供给机构能够在短时间内供给使处理容器内变成设定压力的量的处理气体。处理气体供给机构(3)包括：用于向作为收容基板(G)的处理容器的腔室(2)内供给作为处理气体的氦气的He气体供给源(30)；用于暂时贮存来自He气体供给源(30)的氦气的处理气体罐(33)；和将来自He气体供给源(30)的氦气供给处理气体罐(33)并将处理气体罐(33)内的氦气供给腔室(2)内的处理气体流通部件(35)，氦气经由处理气体流通部件(35)被从He气体供给源(30)暂时贮存在处理气体罐(33)中，并从处理气体罐(33)供给到腔室(2)内。
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公开(公告)号：CN101465284B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200810186170.8
申请日：2008-12-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , C23F4/00 , C23C16/44 , G03F7/42 , H01J37/32
摘要： 本发明提供一种能够在短时间内更换在处理容器内配置的能够更换的处理容器内部件的基板处理装置。基板处理装置(1)包括收容基板(G)的腔室(2)、在配置在腔室(2)内的载置台(3)的基材(3a)上面设置的能够更换的载置板(3b)、用于在腔室(2)内对基板(G)实施等离子体处理的高频电源(17)、以及向腔室(2)内导入处理气体的喷淋头(20)，其中，载置板(3b)利用静电吸附被安装在基材(3a)上。
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公开(公告)号：CN101315877B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810108840.4
申请日：2008-05-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , G02F1/1333 , H01J37/32 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种基板处理系统和基板处理装置，能够不产生微粒而使等离子体均匀地分布在收容室内的空间。该基板处理系统(10)包括三个等离子体处理装置(13)和相对于各等离子体处理装置(13)对玻璃基板(G)进行搬入搬出的搬送室(11)，各等离子体处理装置(13)具有用于收容基板(G)的长方体形状的腔室(18)，腔室(18)只有侧壁(18a)与搬送室(11)相接，在所述侧壁(18a)上开设有与搬送室(11)连通的搬送口(31)，在与侧壁(18a)相对的侧壁(18b)上开设有开口部(32)，搬送口(31)的开口形状与开口部(32)的开口形状相同。
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公开(公告)号：CN101552188A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910129592.6
申请日：2009-03-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/20 , H05H1/24
摘要： 本发明提供一种平行平板型等离子体处理装置中能够抑制阴极电极与覆盖排气口的网状部件之间产生异常放电的等离子体处理装置。等离子体处理装置(2)向在处理容器(20)内相对设置的阳极电极(气体喷淋头(40))和阴极电极(载置台(3))之间施加高频电力，使处理气体等离子体化，对被处理体(S)进行等离子体处理，其中，具备开口部的导电性部件(网状部件51)配置在上述阴极电极周边，覆盖排出处理气体的排气口，电解质(52)设置在导电性部件与处理容器(20)的导电性壁部之间。
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