发明公开
CN116093107A 半导体装置
审中-实审
- 专利标题： 半导体装置
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申请号： CN202211241779.7申请日： 2022-10-11
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公开(公告)号： CN116093107A公开(公告)日： 2023-05-09
- 发明人: 许洋 , 赵南奎 , 金锡勳 , 金容丞 , 朴判貴 , 申东石 , 李相吉 , 李始炯
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道水原市
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道水原市
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 陈晓博; 尹淑梅
- 优先权： 10-2021-0151001 20211105 KR
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092 ; H01L29/78 ; H01L29/08
摘要：
提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个鳍式图案，在基底上在第一方向上彼此间隔开并在第二方向上延伸；场绝缘层，覆盖多个鳍式图案的侧壁并设置在鳍式图案之间；源极/漏极图案，在场绝缘层上连接到多个鳍式图案，源极/漏极图案包括分别连接到鳍式图案的底表面和将底表面彼此连接的至少一个连接表面；以及密封绝缘图案，沿着源极/漏极图案的连接表面和场绝缘层的上表面延伸，其中，源极/漏极图案包括掺杂有p型杂质的硅锗图案。
IPC分类:
