半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112349716B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202010267941.7

    申请日:2020-04-08

    IPC分类号: H01L27/092 H01L21/8238

    摘要: 公开了一种半导体装置,所述半导体装置包括:第一有源图案,在基底的有源区域上在第一方向上延伸;第一源极/漏极图案,位于第一有源图案的上部上的凹部中;栅电极,横跨第一有源图案的上部上的第一沟道图案延伸并且在与第一方向相交的第二方向上延伸;以及有源接触件,电连接到第一源极/漏极图案。

    半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116093107A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202211241779.7

    申请日:2022-10-11

    摘要: 提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括:多个鳍式图案,在基底上在第一方向上彼此间隔开并在第二方向上延伸;场绝缘层,覆盖多个鳍式图案的侧壁并设置在鳍式图案之间;源极/漏极图案,在场绝缘层上连接到多个鳍式图案,源极/漏极图案包括分别连接到鳍式图案的底表面和将底表面彼此连接的至少一个连接表面;以及密封绝缘图案,沿着源极/漏极图案的连接表面和场绝缘层的上表面延伸,其中,源极/漏极图案包括掺杂有p型杂质的硅锗图案。

    半导体封装件
    3.
    发明公开
    半导体封装件 审中-公开

    公开(公告)号:CN112018102A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN202010013403.5

    申请日:2020-01-07

    IPC分类号: H01L25/18 H01L25/065

    摘要: 公开了一种半导体封装件,该半导体封装件包括:逻辑裸片,安装在中间基底上;以及存储器堆叠结构,与逻辑裸片并排设置。存储器堆叠结构包括:缓冲裸片,安装在中间基底上;以及多个存储器裸片,堆叠在缓冲裸片上。缓冲裸片具有面对中间基底的第一表面和面对所述多个存储器裸片的第二表面。第二表面上的数据端子的数量大于第一表面上的连接端子的数量。

    融合存储器装置及其制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111354761A

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201911299184.5

    申请日:2019-12-17

    IPC分类号: H01L27/24 H01L45/00

    摘要: 公开了融合存储器装置及其制造方法。融合存储器装置包括:第一存储器装置,其包括具有彼此相对的有源表面和无源表面的第一衬底和位于第一衬底的有源表面上的第一存储器单元电路;非存储器装置,其包括具有彼此相对的有源表面和无源表面的第二衬底和位于第二衬底的有源表面上的非存储器电路,所述非存储器装置设置在第一存储器装置上;和第二存储器装置,其位于第二衬底的无源表面上,并且包括与第一存储器单元电路不同的第二存储器单元电路。非存储器装置设置在第一存储器单元电路和第二存储器单元电路之间,并且对第一存储器单元电路和第二存储器单元电路中的每一个的电操作进行控制。

    包括随机I/O引擎的存储器设备和包括其的储存设备

    公开(公告)号:CN111176551A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201910741893.8

    申请日:2019-08-12

    IPC分类号: G06F3/06

    摘要: 一种储存设备,包括:存储器控制器,该存储器控制被配置为在写入操作模式下输出从储存设备的外部接收的用户数据,并且在读取操作模式下接收读取数据;以及存储器设备,该存储器设备包括存储器单元阵列和随机输入和输出(I/O)引擎,随机I/O引擎被配置为在写入操作模式下使用随机I/O码对从存储器控制器提供的用户数据进行编码,并且在读取操作模式下通过使用随机I/O码对由数据I/O电路从存储器单元阵列读取的内部读取数据进行解码来生成读取数据。

    监测装置和包括该装置的半导体制造装置

    公开(公告)号:CN109755153A

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201810987117.1

    申请日:2018-08-28

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 提供了一种用于制造半导体器件的装置。用于制造半导体器件的装置可以包括:质量流量控制器,该质量流量控制器被配置为控制供应到工艺室的工艺气体的流率,质量流量控制器被配置为响应于校正信号而调节离开质量流量控制器的工艺气体的流出流率,该校正信号基于流入质量流量控制器的工艺气体的流入流率与参考流率之间的差而产生;传感器,配置为测量工艺室内部的室压力;排气阀,配置为调节从工艺室排出的排出气体的排气速度;以及监测装置,配置为基于校正信号、室压力和排气阀的排气速度来检测质量流量控制器的缺陷。

    存储器系统及其操作方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116126589A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202211411089.1

    申请日:2022-11-11

    IPC分类号: G06F11/14 G11C29/00

    摘要: 公开了存储器系统及其操作方法。所述存储器系统包括第一非易失性存储器装置;第二非易失性存储器装置;至少一个易失性存储器装置,被配置为:存储用户数据或映射表;以及存储器控制器,被配置为:当发生突然断电时,将用户数据从所述至少一个易失性存储器装置数据转储到第一非易失性存储器装置。第一非易失性存储器装置具有比第二非易失性存储器装置快的数据写入速度,并且具有比第二非易失性存储器装置小的容量。