公开了一种半导体存储器件，包括：衬底，包括单元区和外围区；单元栅电极，设置在单元区处；位线结构，设置在单元区处并包括单元导线和设置在单元导线上的单元线封盖膜；鳍型图案，设置在外围区处；外围栅电极，与鳍型图案交叉；外围栅分离图案，设置在外围栅电极的侧壁上并具有高于外围栅电极的上表面的上表面；以及外围层间绝缘膜，覆盖外围栅电极、外围栅分离图案、以及外围栅分离图案的侧壁的一部分。外围层间绝缘膜的上表面和单元线封盖膜的最上表面相对于衬底位于相同的高度。