本申请涉及一种GaAs集成电路的MIM电容器的失效定位方法和装置。所述方法包括：当待测的MIM电容器顶部厚度大于预设值时，去除GaAs集成电路背面的导电金属层；根据MIM电容器在GaAs集成电路上的位置，确定扫描范围；从去除了导电金属层的GaAs集成电路的背面发射激光，对范围内的GaAs集成电路逐点扫描，得到扫描图像；对扫描图像进行识别，确定扫描图像的失效点在第一方向的位置。采用本方法能够准确地定位到GaAs集成电路中MIM电容器的失效点。