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公开(公告)号：CN116106728A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310391513.9
申请日：2023-04-13
IPC分类号： G01R31/311
摘要： 本申请涉及一种GaAs集成电路的MIM电容器的失效定位方法和装置。所述方法包括：当待测的MIM电容器顶部厚度大于预设值时，去除GaAs集成电路背面的导电金属层；根据MIM电容器在GaAs集成电路上的位置，确定扫描范围；从去除了导电金属层的GaAs集成电路的背面发射激光，对范围内的GaAs集成电路逐点扫描，得到扫描图像；对扫描图像进行识别，确定扫描图像的失效点在第一方向的位置。采用本方法能够准确地定位到GaAs集成电路中MIM电容器的失效点。
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公开(公告)号：CN115330700A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210897252.3
申请日：2022-07-28
摘要： 本申请涉及一种失效点的定位方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取通过红外热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角；获取通过图像扫描装置对所述被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的三维图像，并对所述三维图像进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的三维坐标；根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。采用本方法能够提高芯片内部失效点定位精度。
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公开(公告)号：CN114800107A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210736420.0
申请日：2022-06-27
摘要： 本发明涉及一种芯片去层调节装置及制样方法，其特征在于，芯片去层调节装置包括：底座；高度调节件，高度调节件与底座活动连接，高度调节件用于调整芯片样本相对于底座的高度；位置调节件，位置调节件与高度调节件连接，其中，底座具有夹持表面，夹持表面与位置调节件的一端相对，位置调节件与夹持表面之间形成夹持空间，夹持空间用于夹持芯片样品，位置调节件用于调整芯片样本在夹持表面上的夹持位置。通过调节位置调节件到底座的夹持表面的间距，实现对夹持空间大小的调节并调整芯片样本在夹持表面上的夹持位置，保证对芯片样品研磨时能同时研磨到待观察面的多层断面；通过调节高度调节件，实现对芯片样品每次研磨量的控制调节，保证研磨质量。
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公开(公告)号：CN114800107B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210736420.0
申请日：2022-06-27
摘要： 本发明涉及一种芯片去层调节装置及制样方法，其特征在于，芯片去层调节装置包括：底座；高度调节件，高度调节件与底座活动连接，高度调节件用于调整芯片样本相对于底座的高度；位置调节件，位置调节件与高度调节件连接，其中，底座具有夹持表面，夹持表面与位置调节件的一端相对，位置调节件与夹持表面之间形成夹持空间，夹持空间用于夹持芯片样品，位置调节件用于调整芯片样本在夹持表面上的夹持位置。通过调节位置调节件到底座的夹持表面的间距，实现对夹持空间大小的调节并调整芯片样本在夹持表面上的夹持位置，保证对芯片样品研磨时能同时研磨到待观察面的多层断面；通过调节高度调节件，实现对芯片样品每次研磨量的控制调节，保证研磨质量。
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公开(公告)号：CN115423753A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210930187.X
申请日：2022-08-03
摘要： 本申请涉及一种方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：对已预处理的集成电路施加激励信号后进行锁相红外热成像检测，得到红外图像，通过预处理提高集成电路的发射率。对红外图像进行处理，得到目标振幅图和目标相位图。根据目标振幅图确定集成电路的失效点的水平位置信息。根据目标相位图确定集成电路的失效点的深度信息。目标振幅图表征了集成电路失效点的水平位置信息，目标振幅图表征了集成电路的失效点的深度信息。结合水平信息和深度信息，可以确定集成电路失效点的具体位置。通过预处理提高集成电路的发射率，提高了材料表面红外发射率，提高了对集成电路失效点的定位精度。
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公开(公告)号：CN113299355B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110494242.0
申请日：2021-05-07
摘要： 本发明公开了一种高频基板的可靠性评估方法，包括以下步骤：对未经湿热老化处理的高频基板样品和经不同程度湿热老化处理的高频基板样品进行烘干处理后进行电性能参数测试、化学结构分析、热分析及显微组织分析，得到电性能参数信息、化学结构信息、热力学特性信息及显微结构信息；分析未经湿热老化处理、经不同程度湿热老化处理的高频基板样品的电性能参数、化学结构、热力学特性、显微结构的演变趋势；建立未经湿热老化处理、经不同程度湿热老化处理的高频基板样品的电性能参数、化学结构、热力学特性、显微结构之间的关联关系。本发明能够全方位表征高频基板在湿热老化过程中的退化特性及演变规律，为产品设计提供全面参考。
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公开(公告)号：CN116106728B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310391513.9
申请日：2023-04-13
IPC分类号： G01R31/311
摘要： 本申请涉及一种GaAs集成电路的MIM电容器的失效定位方法和装置。所述方法包括：当待测的MIM电容器顶部厚度大于预设值时，去除GaAs集成电路背面的导电金属层；根据MIM电容器在GaAs集成电路上的位置，确定扫描范围；从去除了导电金属层的GaAs集成电路的背面发射激光，对范围内的GaAs集成电路逐点扫描，得到扫描图像；对扫描图像进行识别，确定扫描图像的失效点在第一方向的位置。采用本方法能够准确地定位到GaAs集成电路中MIM电容器的失效点。
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公开(公告)号：CN114487788A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210344354.2
申请日：2022-04-02
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供一种封装器件的失效定位方法。封装器件的失效定位方法包括：获取未失效封装器件的参考信号；所述参考信号包括所述未失效封装器件的时域信号；获取失效封装器件的测量信号；所述测量信号包括所述失效封装器件的时域信号；对比所述参考信号和所述测量信号，获得所述失效封装器件的失效位置。本发明所述的封装器件的失效定位方法，分别获得未失效封装器件的参考信号和失效封装器件的测量信号，并通过对比未失效封装器件的参考信号和失效封装器件的测量信号，可以快速获得失效封装器件的精确失效位置，极大地节省了研发人员测试失效位置的时间，帮助提升企业研发竞争力，为后续开展先进封装器件失效分析定位工作提供参考。
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公开(公告)号：CN113299355A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110494242.0
申请日：2021-05-07
摘要： 本发明公开了一种高频基板的可靠性评估方法，包括以下步骤：对未经湿热老化处理的高频基板样品和经不同程度湿热老化处理的高频基板样品进行烘干处理后进行电性能参数测试、化学结构分析、热分析及显微组织分析，得到电性能参数信息、化学结构信息、热力学特性信息及显微结构信息；分析未经湿热老化处理、经不同程度湿热老化处理的高频基板样品的电性能参数、化学结构、热力学特性、显微结构的演变趋势；建立未经湿热老化处理、经不同程度湿热老化处理的高频基板样品的电性能参数、化学结构、热力学特性、显微结构之间的关联关系。本发明能够全方位表征高频基板在湿热老化过程中的退化特性及演变规律，为产品设计提供全面参考。
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