本申请涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种谐振器以及谐振器的制备方法。谐振器，包括衬底以及设置在衬底上的谐振结构，谐振结构包括依次设置在衬底上的下电极、压电层以及上电极；谐振结构与衬底之间设有底部声反射结构，底部声反射结构、下电极、压电层以及上电极的重叠区域形成有源区域；压电层在有源区域的边缘设置有横向声反射结构，横向声反射结构至少部分与上电极和/或下电极的外边缘重叠。本申请提供的谐振器通过横向声反射结构的设置能够增强谐振器对横向声波的反射，从而有效提高谐振器的品质因子。