一种半导体器件结构及其制造方法、DRAM和电子设备，半导体器件结构包括：衬底；多个存储单元列，每个存储单元列均包括沿第一方向堆叠设置在衬底一侧的多个存储单元，多个存储单元列在衬底上沿第二方向和第三方向排列形成阵列；存储单元包括晶体管和电容器，晶体管包括半导体柱和栅极，半导体柱包括源极区、反转沟道区和漏极区；多条沿第一方向延伸的位线，沿第二方向上相邻的两个存储单元列的多个存储单元的晶体管的源极区均与一条共用的位线连接；多条沿第三方向延伸的字线。本申请实施例的半导体器件结构具有立体堆叠结构，多个晶体管共用位线，存储密度较大，而且晶体管采用反转沟道，可以获得高开关比。