发明公开
CN116153788A 半导体器件的制造方法
审中-实审
- 专利标题： 半导体器件的制造方法
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申请号： CN202211388380.1申请日： 2022-11-04
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公开(公告)号： CN116153788A公开(公告)日： 2023-05-23
- 发明人: 苏芳 , 冯锐 , 朱普磊 , 陈骁 , 杨俊 , 相奇
- 申请人： 广东芯粤能半导体有限公司
- 申请人地址： 广东省广州市南沙区万顷沙镇正翔路18号
- 专利权人： 广东芯粤能半导体有限公司
- 当前专利权人： 广东芯粤能半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省广州市南沙区万顷沙镇正翔路18号
- 代理机构： 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
- 代理商 刘自丽
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/16 ; H01L29/10 ; H01L21/265
摘要：
本申请公开了一种半导体器件的制造方法，该半导体器件的制造方法包括：提供一基底，并在基底上形成沟槽；在基底表面和沟槽上形成图案化的掩膜层，图案化的掩膜层暴露沟槽的第一侧壁；以图案化的掩膜层为掩膜，并从预设注入方向和预设注入角度对第一侧壁进行离子注入，以在第一侧壁形成具有预设形状的非晶层；去除非晶层和图案化的掩膜层，以得到非对称沟槽。本方案可以提高半导体器件的性能。
IPC分类:
