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公开(公告)号：CN118352215A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410552286.8
申请日：2024-05-07
申请人： 广东芯粤能半导体有限公司
摘要： 本申请涉及一种刻蚀终点检测系统及方法，刻蚀终点检测系统包括：刻蚀设备，包括载台和工艺腔，载台设置在工艺腔内，载台上涂覆有增强反射涂层，待测样品被放置于增强反射涂层上方；检测设备，与刻蚀设备连接，检测设备用于向待测样品发射入射光，获取由待测样品表面的反射光和增强反射涂层表面的反射光组成的干涉光，根据干涉光的光谱获取待测样品表面至增强反射涂层表面的距离信息，以及根据距离信息确定是否输出刻蚀终点信号至刻蚀设备。使用本申请的刻蚀终点检测系统在刻蚀过程中对待测样品的刻蚀终点进行检测时，不需要提前在待测样品上设置刻蚀终止层，可以简化工艺流程，还能够提高对刻蚀终点检测的准确性。
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公开(公告)号：CN116153788A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211388380.1
申请日：2022-11-04
申请人： 广东芯粤能半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L21/265
摘要： 本申请公开了一种半导体器件的制造方法，该半导体器件的制造方法包括：提供一基底，并在基底上形成沟槽；在基底表面和沟槽上形成图案化的掩膜层，图案化的掩膜层暴露沟槽的第一侧壁；以图案化的掩膜层为掩膜，并从预设注入方向和预设注入角度对第一侧壁进行离子注入，以在第一侧壁形成具有预设形状的非晶层；去除非晶层和图案化的掩膜层，以得到非对称沟槽。本方案可以提高半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN115565868B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211470693.1
申请日：2022-11-23
申请人： 广东芯粤能半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/308 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/16
摘要： 本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：提供碳化硅衬底；于碳化硅衬底的上表面形成第一图形化掩模层，第一图形化掩模层内具有第一开口；基于第一图形化掩模层刻蚀碳化硅衬底，以于碳化硅衬底内形成初始沟槽；初始沟槽的两侧侧壁与碳化硅衬底的底面的夹角均为90°；于碳化硅衬底的上表面形成第二图形化掩模层，第二图形化掩模层内具有第二开口，第二开口暴露出初始沟槽的部分底面、初始沟槽的一侧侧壁及碳化硅衬底的部分上表面；基于第二图形化掩模层刻蚀碳化硅衬底，以形成一侧侧壁相较于碳化硅衬底的底面倾斜的沟槽。上述半导体结构的制备方法，可以显著提升半导体器件的沟道迁移率。
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公开(公告)号：CN115513102B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211471245.3
申请日：2022-11-23
申请人： 广东芯粤能半导体有限公司
摘要： 本申请涉及一种刻蚀深度监测系统，包括：上位机；刻蚀腔室；刻蚀腔室内具有载台，载台之上承载有晶圆；激光器，位于刻蚀腔室的上方，用于产生入射光信号；第一电机，一端与激光器连接，另一端与上位机连接；光线控制装置，位于刻蚀腔室的上方；光线控制装置用于将入射光信号反射至晶圆的表面以产生第一干涉光信号；第二电机，一端与光线控制装置连接，另一端与上位机连接；光线控制装置的下表面的一侧还设置有第一探测器，第一探测器与上位机连接；第一探测器用于接收第一干涉光信号，并将第一干涉光信号传输至上位机；上位机还用于根据第一干涉光信号得到晶圆的刻蚀深度。采用本申请的刻蚀深度监测系统能够提高监测准确度。
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公开(公告)号：CN115513172A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211467456.X
申请日：2022-11-22
申请人： 广东芯粤能半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L27/088 , H01L21/768 , H01L21/8234
摘要： 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供衬底及外延层；于外延层内形成离子注入层；在第一预设环境下对离子注入层进行第一热处理，以形成初始氧化层，初始氧化层的第一中心氧化层厚度大于第一边缘氧化层厚度；第一预设环境包括第一预设温度；在第二预设环境下对第一热处理后保留的离子注入层进行第二热处理，以形成目标氧化层，目标氧化层的第二中心氧化层厚度与第二边缘氧化层厚度的差值位于预设范围内；第二预设环境包括第二预设温度，第二预设温度小于第一预设温度。上述制备方法能够改善氧化层的均匀性，并减小碳化硅碳团簇现象，从而提高迁移率，以提升碳化硅功率器件的整体性能。
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公开(公告)号：CN118299407A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410463594.3
申请日：2024-04-17
申请人： 广东芯粤能半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：衬底；JFET区，位于衬底内；第一导电类型的阱区，位于衬底内，且位于JFET区相对的两侧，与JFET区相邻接；栅极结构，包括栅介质层及具有沟槽的栅极导电层；栅介质层位于衬底的上表面；栅极导电层位于栅介质层的上表面，横跨JFET区，且延伸至阱区的上表面；沟槽位于JFET区的正上方；层间介质层，填满沟槽且覆盖栅极导电层。本申请的半导体结构中，通过将栅极导电层设置为具有沟槽的结构，且将层间介质层填满沟槽并覆盖栅极导电层，相当于增加了栅介质层的厚度，提高了栅介质层的抗击穿能力，减小了半导体结构的失效风险。
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公开(公告)号：CN117766401A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311844183.0
申请日：2023-12-29
申请人： 广东芯粤能半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
摘要： 本申请涉及一种半导体器件结构及其制备方法。该半导体器件结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的表面形成外延层；于外延层内形成埋氧层；于外延层内形成沟槽，沟槽暴露出埋氧层；于沟槽的侧壁形成栅氧化层，栅氧化层与埋氧层相接触。本申请通过在外延层内形成埋氧层，再于沟槽的侧壁形成栅氧化层，由于埋氧层的存在，解决了因半导体器件结构沟槽底部角落处电场聚集，导致在半导体器件结构导通期间栅氧化层承受了巨大的电场被击穿的问题，进而提高了半导体器件结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN116631871A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310559997.3
申请日：2023-05-17
申请人： 广东芯粤能半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
摘要： 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底一侧表面形成外延层；于外延层远离衬底的表面形成第一导电层；于衬底远离外延层的表面形成第二导电层；并形成沟槽，沟槽沿厚度方向贯穿第一导电层，并延伸至外延层内；于第一导电层和第二导电层施加电压，采用湿法生长工艺，于沟槽的侧壁及底部形成介质层。本申请提供的半导体结构及其制备方法可以提高介质层的成膜质量，进而可以提高半导体结构的电学性能。
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公开(公告)号：CN114334621B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210004678.1
申请日：2022-01-04
申请人： 广东芯粤能半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/04 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L29/78
摘要： 本发明涉及一种半导体结构、半导体器件及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底内形成初始凹槽，初始凹槽内具有尖锐拐角；对初始凹槽进行平滑处理，以去除尖锐拐角，得到具有光滑内壁的沟槽。在上述半导体结构的制备方法中，通过将初始凹槽中的尖锐拐角进行平滑处理，可以去除所有尖锐拐角，形成具有光滑内壁的沟槽，从而可以防止电场线在尖锐拐角处集中，避免出现局部电场强度过高从而击穿介电层的情况，提高半导体结构的可靠性。并且，与尖锐拐角相比，光滑的沟槽内壁对电流通路具有明显的扩展作用，降低了导通电阻。
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公开(公告)号：CN116314290A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310240553.3
申请日：2023-03-14
申请人： 广东芯粤能半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件，包括：衬底、第一导电类型的外延层、第二导电类型的埋层、栅极结构、覆盖介质层、栅极引出电极、引出孔、源极引出电极以及隔离绝缘层。其中，覆盖介质层覆盖栅极结构；覆盖介质层内具有开口，开口暴露出栅极结构。栅极引出电极至少位于开口内，与栅极结构相接触。引出孔位于开口内，沿厚度方向贯穿栅极引出电极、栅极结构，以暴露出第二导电类型的埋层。源极引出电极，位于引出孔内，与第二导电类型的埋层电连接。隔离绝缘层位于源极引出电极与栅极引出电极和栅极结构之间。上述半导体器件具有较好的抗浪涌电流能力以及可靠性。
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