发明公开
- 专利标题： 薄膜晶体管及薄膜晶体管阵列基底
-
申请号： CN202211448586.9申请日： 2022-11-18
-
公开(公告)号： CN116153940A公开(公告)日： 2023-05-23
- 发明人: 李京垣 , 高殷慧 , 金连洪 , 金恩贤 , 金亨俊 , 李善熙 , 林俊亨
- 申请人： 三星显示有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道龙仁市
- 专利权人： 三星显示有限公司
- 当前专利权人： 三星显示有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道龙仁市
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 陈宇; 韩芳
- 优先权： 10-2021-0160600 20211119 KR
- 主分类号： H01L27/12
- IPC分类号： H01L27/12
摘要：
公开了一种薄膜晶体管和一种薄膜晶体管阵列基底，所述薄膜晶体管包括：遮光层，设置在基底上；氧供应层，设置在遮光层上，并且包括金属氧化物；缓冲层，设置在基底上，并且覆盖氧供应层；有源层，设置在缓冲层上，其中，有源层包括与遮光层叠置的沟道区以及分别与沟道区的相对侧接触的第一电极区域和第二电极区域；以及栅极绝缘层，设置在有源层的沟道区上。
IPC分类:
