公开(公告)号：CN113035981B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202011259707.6

申请日：2020-11-12

申请人： 三星显示有限公司 ,  延世大学校产学协力团

发明人： 金兑相 ,  金显栽 ,  刘赫埈 ,  林俊亨

IPC分类号： H01L31/0336 ,  H01L31/113 ,  H10K59/40 ,  H10K59/60 ,  H10K59/12

摘要： 提供一种光电晶体管以及包括其的显示装置。根据一实施例的光电晶体管，可以包括：栅电极，布置在基板上；栅极绝缘膜，使所述栅电极绝缘；第一活性层，相隔所述栅极绝缘膜而与所述栅电极重叠，并且包括金属氧化物；第二活性层，布置在所述第一活性层上，并且包括硒；以及源电极和漏电极，分别连接于所述第二活性层。

公开(公告)号：CN118412356A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410118675.X

申请日：2024-01-29

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 具素英 ,  姜泰旭 ,  金亨度 ,  金亨俊 ,  南润龙 ,  林俊亨 ,  韩基林

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

摘要： 本发明提供一种显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括：缓冲层，包括无机绝缘材料；有源图案，设置在缓冲层上并且包括沟道区和与沟道区相邻的第一导体区；栅绝缘层，设置在缓冲层和有源图案上并且包括无机绝缘材料；栅电极层，包括第一电极，第一电极包括通过沿着栅绝缘层的侧表面延伸而电接触第一导体区的第一接触部分；以及供氧层，包括设置在第一电极与栅绝缘层之间的第一图案，其中第一图案包括在平面图中从第一图案的侧表面凹陷以围绕第一接触部分的至少一部分的第一凹槽。

公开(公告)号：CN118139469A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202311615655.5

申请日：2023-11-28

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 朴喆远 ,  金明花 ,  朴根徹 ,  林俊亨 ,  崔惠临

IPC分类号： H10K59/122 ,  H10K59/124 ,  H10K59/123 ,  H10K59/12 ,  H10K71/00

摘要： 提供了一种显示装置和该显示装置的制造方法。所述显示装置包括：基底；钝化层，设置在基底上；金属氧化物层，设置在钝化层上；过孔层，设置在金属氧化物层上；第一电极，设置在过孔层上；像素限定层，覆盖第一电极的边缘部分和金属氧化物层，并且划分发光区域；有机层，设置在第一电极和像素限定层上；以及第二电极，设置在有机层上，其中，像素限定层的侧面比金属氧化物层的侧面向外突出，并且有机层的至少一部分在像素限定层的侧面与钝化层之间的点处断开。

公开(公告)号：CN117913097A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311349118.0

申请日：2023-10-18

申请人： 三星显示有限公司 ,  浦项工科大学校产学协力团

发明人： 金亨俊 ,  鲁容泳 ,  林俊亨 ,  刘奥

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H10K59/121 ,  H10K59/12 ,  H10K71/00 ,  G09F9/33

摘要： 本申请涉及显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括：基板；位于基板上的薄膜晶体管；以及电连接至薄膜晶体管的发光二极管，其中薄膜晶体管包括：半导体层，在半导体层中限定了源区、漏区和沟道区；栅电极，与半导体层绝缘并与半导体层重叠；源电极，电连接至源区；以及漏电极，电连接至漏区，其中半导体层包括包含过渡金属和硫属元素的结晶的金属硫属化物，并且具有层状结构。

公开(公告)号：CN116435309A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202211665373.1

申请日：2022-12-23

申请人： 三星显示有限公司 ,  浦项工科大学校产学协力团

发明人： 金亨俊 ,  鲁容泳 ,  林俊亨 ,  朱慧慧

IPC分类号： H01L27/12 ,  H10K19/10 ,  H10K71/00 ,  H10K59/12 ,  H10K59/125

摘要： 提供了薄膜晶体管、包括其的显示设备和制备薄膜晶体管的方法，所述薄膜晶体管包括：栅电极；栅极绝缘层，与栅电极接触；半导体层，通过栅极绝缘层与栅电极绝缘；以及源电极和漏电极，与半导体层接触，其中，半导体层包括由式1表示的钙钛矿化合物：式1[A]2[B][X]6:Z，其中，在式1中，A包括单价有机阳离子、单价无机阳离子或它们的组合，B包括Sn4+，X包括单价阴离子，并且Z包括金属阳离子或准金属阳离子。

公开(公告)号：CN107799603B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201710790406.8

申请日：2017-09-05

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 朴晙皙 ,  林志勋 ,  金宰范 ,  林俊亨 ,  孙暻锡

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34

摘要： 提供了一种薄膜晶体管阵列面板和相关制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管，所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。

公开(公告)号：CN113851486A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202110346338.2

申请日：2021-03-31

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 孙尙佑 ,  文然建 ,  金明花 ,  金兑相 ,  朴根徹 ,  朴晙皙 ,  林俊亨 ,  崔惠临

IPC分类号： H01L27/12

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置。为了实现薄膜晶体管基板内载流子迁移率增加的薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置，本发明的薄膜晶体管基板包括：有源层，布置于基板上，并且包括第一半导体物质层、布置于所述第一半导体物质层上并包括金属原子的导体层以及布置于所述导体层上的第二半导体物质层；栅极绝缘层，布置于所述有源层上；以及栅极电极，布置于所述栅极绝缘层上，并且至少一部分重叠于所述有源层。

公开(公告)号：CN113658870A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110474086.1

申请日：2021-04-29

申请人： 三星显示有限公司 ,  延世大学校产学协力团

发明人： 林俊亨 ,  金亨俊 ,  金亨俊 ,  金莹俊 ,  朴柱相 ,  禹皇帝

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L29/786

摘要： 实施例涉及一种制造半导体元件的方法，所述方法包括下述步骤：准备基底；在所述基底上形成半导体层，其中，所述半导体层包括结晶的二维层；在所述半导体层上形成源极电极和漏极电极；通过使用次氯酸钠湿蚀刻所述半导体层，形成半导体构件，其中，所述湿蚀刻导致残留物；以及使用纯净水和惰性气体去除所述残留物。

公开(公告)号：CN113540176A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110422391.6

申请日：2021-04-20

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 朴晙晳 ,  金明花 ,  金兑相 ,  文然建 ,  朴根彻 ,  林俊亨 ,  崔惠临

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置可包括第一栅电极、缓冲层、第一有源图案、源图案和漏图案、绝缘层、氧供给图案、第二有源图案、绝缘图案和第二栅电极，第一栅电极位于衬底上，缓冲层位于第一栅电极上，第一有源图案位于缓冲层上，与第一栅电极重叠并且包括氧化物半导体，源图案和漏图案分别位于第一有源图案的端部上，绝缘层与缓冲层上的源图案和漏图案重叠，氧供给图案位于绝缘层上，与第一有源图案重叠并且将氧供给到第一有源图案，第二有源图案位于绝缘层上并且与氧供给图案间隔开，第二有源图案包括沟道区以及源区和漏区，绝缘图案位于第二有源图案的沟道区上，第二栅电极位于绝缘图案上。

公开(公告)号：CN113540165A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110381318.9

申请日：2021-04-09

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金明花 ,  朴晙晳 ,  金兑相 ,  文然建 ,  朴根彻 ,  孙尙佑 ,  林俊亨 ,  崔惠临

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 提供了一种显示装置和制造显示装置的方法。所述显示装置包括：基底；第一晶体管的第一有源层和第二晶体管的第二有源层，设置在基底上；第一栅极绝缘层，设置在第一有源层上；氧化物层，设置在第一栅极绝缘层上，并且包括氧化物半导体；第一栅电极，设置在氧化物层上；第二栅极绝缘层，设置在第一栅电极和第二有源层上；以及第二栅电极，在基底的厚度方向上与第二有源层叠置，并且设置在第二栅极绝缘层上，其中，在厚度方向上，氧化物层与第一有源层叠置，并且不与第二有源层叠置。