本发明公开了一种低漏电低压TVS器件，包括P型半导体衬底P0，所述P型半导体衬底P0上下两侧局部区域开设有N型扩散区N11和N12，位于P型半导体衬底P0上下两侧还开设有N型扩散区N21和N22，N型扩散区N21位于N型扩散区N11的两侧，N型扩散区N22位于N型扩散区N12的两侧，N型扩散区N11和N12的结深比N型扩散区N21和N22的结深深，本发明基于两个并联的PN结，较大面积的PN结击穿电压较高，漏电流较低，决定整个器件击穿电压的PN结面积较小，因而整个器件的漏电流大大降低，同时由于焊接区域的PN结结深较深，抵抗焊接应力的能力得以大大提升。