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公开(公告)号：CN118824968A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410880122.8
申请日：2024-07-02
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/40 , H01L23/473 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种具有高散热性的功率MOSFET器件散热结构，包括设置在芯片外的散热外壳，电极件和芯片的凹槽交接处设置有硅胶导热片，硅胶导热片和芯片的外侧面上设置有导热板，导热板覆盖芯片和硅胶导热片的外侧面，导热板上设有凹槽，凹槽内插有与凹槽相匹配的散热叶，散热叶连接有通风道，通风道设置有第二通风口和第一通风口，本结构不仅实现了将电极件和芯片中产生的热量转移到硅胶导热片上，且硅胶导热片也加强了电极件与芯片的连接，使得电极件与芯片的连接更加稳固，通过导热板的设置，将导热板中的热量通过散热叶将热量集中散在通风道中，热量经过通风道散在散热外壳外，极大提高了电极件与芯片的散热。
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公开(公告)号：CN118610272A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410737936.6
申请日：2024-06-07
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种快恢复二极管及其制造方法，包括N型半导体衬底，N型半导体衬底设置有缓冲层，缓冲层设置有外延层，外延层设置有N型掺杂区，外延层设置有第一P型掺杂区，第一P型掺杂区设置有P型高掺杂区，外延层位于N型掺杂区和第一P型掺杂区之间处均设置有两组第二P型掺杂区，本发明利用了靠近第一P型掺杂区的N型外延区少子寿命较低，同时靠近FS电场截止层区域的N型外延区少子寿命较高，使得快恢复二极管在关断的初期少数载流子能快速消失，在关断的末期少数载流子能缓慢消失，解决了整个区域少子寿命控制导致的软度因子小、关断震荡、导通压降低、击穿电压不稳定的问题，结构设置精巧、高效，适合推广使用。
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公开(公告)号：CN113889995B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111174342.1
申请日：2021-10-09
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H02H9/04
摘要： 本发明属于汽车传感电路技术领域，尤其为一种汽车瞬间高压保护传感电路，包括第一电阻、第二电阻、第一压敏电阻、第二压敏电阻、第一TVS管、第二TVS管和传感电路，第一电阻和第二电阻串联接入传感电路的第一输入端口，第一压敏电阻和第二压敏电阻并联于第二电阻的前后两端之间，第一TVS管连接于第一压敏电阻和第二压敏电阻之间。本发明利用前级第一电阻、第二电阻、第一压敏电阻RV1、第二压敏电阻RV2以及双串放的放电管和电容将瞬态高压始终保持在临界值以下，对传感电路进行瞬态高压防护，抑制传感电路的瞬态干扰，并在后端通过第二TVS管做二次防护，降低后端的残压，保证传感电路的可靠运行。
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公开(公告)号：CN117696474A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311614771.5
申请日：2023-11-29
申请人： 富芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种气体放电管老炼装置，包括放置放电管定位盘，所述放电管定位盘包括定位盘与底盘，定位盘与底盘之间留有空隙，定位盘采用绝缘材料制成，定位盘包括试验部与残次品放置部，试验部上矩形阵列设置有第一定位贯穿孔，残次品放置部上设置有若干列第二定位贯穿孔；本发明通过设置夹取结构对一排老炼过的空气放电管中不符合要求的空气放电管进行抓取，并将其转移至放电定位盘一侧的残次品放置部，这样如果后续选择人工分离，能够方便工作人员进行辨认，如果选择机械分离，则能够在保证一次性完成分离的条件下，尽可能减少用于抓取的机械结构的数量，简化抓取结构的结构复杂程度与驱动逻辑复杂程度，从而降低住区结构的成本。
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公开(公告)号：CN112420569B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202011203629.8
申请日：2020-11-02
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种智能化运放芯片体涂硅脂装置，包括输送箱和芯片体，所述输送箱的上方设置有涂硅脂机，所述输送箱的侧面转动连接有第一转动杆，所述第一转动杆的外表面固定连接有转动板，所述转动板的侧面开设有转动槽，所述转动槽的内表面滑动连接有输送杆，本发明涉及运放芯片技术领域。该智能化运放芯片体涂硅脂装置，拉绳通过固定环对输送杆施加拉力，多个固定环和输送杆的协同，保障拉绳对输送杆施加的拉力使输送杆侧面的凹槽处于内凹状态，输送时，芯片体放置于凹槽内，通过凹槽对芯片体的位置进行限定，保障芯片体位置的稳定，解决了常见的传送装置难以保障芯片体在移动过程中位置的稳定性的问题。
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公开(公告)号：CN114845499B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210524448.8
申请日：2022-05-13
申请人： 富芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块，涉及半导体技术领域。包括储放盒，所述储放盒外部的一侧固定连接有通电接头，储放盒内部的一端固定连接有输出座，储放盒内部的中心点位置安装有半导体芯片，所述通电接头、半导体芯片和输出座依次通过传输线束相连通，所述通电接头和半导体芯片之间的传输线束上设置有调节机构。本发明通过在普通功率半导体模块的内部安装类似凸轮升降机构的调节机构，并将该机构和半导体模块外的控制盘相连接的设置，实现了使用者可以通过转动控制盘来实现对通入到半导体模块内电流的阻隔切断，以简单的机械联动完成了对功率半导体模块内部芯片的防护，提高了该装置在实际使用时的灵活性和便捷性。
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公开(公告)号：CN117096178B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311338754.3
申请日：2023-10-17
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种耐高压的平面型半导体装置，包括：有源区层，所述有源区层的四个拐角处设置为弧形结构，所述有源区层的每个拐角处的弧形结构数量设置为三个以上；衬底层，所述衬底层的顶端设置有安装有源区层的安装槽，所述有源区层通过安装槽嵌入衬底层的顶面；其中，每个所述弧形结构的一侧设置有弧形JTE结构。所述弧形结构包括：中部圆弧结构和侧圆弧结构。通过在每个拐角处的设置多个弧形结构，可增加电势障垒的区域；通过降低圆角处的电场强度，提高器件的击穿电压，增强器件的耐压能力。改善器件的可靠性和稳定性；圆角处的电势障垒得以展宽并变得更平坦。使得电场强度能够更均匀地分布在圆角处，不会集中在局部区域。
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公开(公告)号：CN115579388A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110567148.3
申请日：2021-05-24
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/747 , H01L29/06 , H01L21/332
摘要： 本发明公开了一种具有过压保护功能的双向可控硅及其制造方法，通过在双向可控硅的P型掺杂基区一下部形成N型电压调制掺杂区一，在P型掺杂基区二上部形成N型电压调制掺杂区二，这样P型掺杂基区一、N型电压调制掺杂区一、N型半导体衬底、N型电压调制掺杂区二、P型掺杂基区二形成一个双向的TVS器件结构，本发明的具有过压保护功能的双向可控硅通过在双向可控硅内集成双向TVS器件，利用TVS器件快速响应、过压钳位的特点，保护双向可控硅免受瞬态过压损坏。
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公开(公告)号：CN115036365A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210786651.2
申请日：2022-07-04
申请人： 富芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种功率MOSFET器件栅电极结构，涉及栅电极技术领域。一种功率MOSFET器件栅电极结构，包括底部金属层，所述底部金属层顶部两端均固定连接由淋膜纸，底部金属层顶部通过刻蚀铺设有栅电极介质。本发明制造工艺比较简单，其主要刻蚀过程仍然采用传统的光刻蚀方法，制造过程与传统的栅电极制造过程兼容性好并且能够使得光栅结构获得更好的调节功能，能够克服传统的多晶硅产生过大电阻的问题，能够有效的提高MOSFET器件的性能，并且在沉淀金属时，与淋膜纸保护栅电极介质，能够避免在光刻和沉淀过程中对栅电极介质造成的损伤，提高栅电极介质调节金属功函数的能力，获得更大的调节范围。
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公开(公告)号：CN114750057B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210661447.8
申请日：2022-06-13
申请人： 富芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种复合快恢复二极管生产用的背面减薄设备及工艺，第五气缸的输出端穿过固定板，并与基板连接，固定板滑动设置在第一工作框的槽体内，固定板的顶面内壁上等间距设置有抛光机；固定板的侧板上设置有多个通孔，侧板的内腔与连通管相互连通，本发明对多个二极管工件进行减薄处理，以及通过固定板的结构与基座相配合；该背面减薄工艺，通过控制工作台倾斜和第一转移件工作，使得基座的第一转移槽滑入到第一工作框内；将装有多个抛光机的固定板向下移动进行工作，抛光液从固定板的通孔上喷洒到二极管工件上，完成对二极管工件的减薄处理；使得抛光机和抛光液之间设置紧凑，有效提高对二极管工件减薄处理的效率。
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