公开(公告)号：CN118610207A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410849508.2

申请日：2024-06-27

申请人： 富芯微电子有限公司

发明人： 邹有彪 ,  李盛楠 ,  倪侠 ,  车振华 ,  王全 ,  张荣

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324

摘要： 本发明公开了一种过压浪涌保护器件及其制造方法，包括N型半导体衬底，N型半导体衬底设置有第二P型掺杂基区、第一P型掺杂基区，第二P型掺杂基区内设置有第一N型发射区，第一P型掺杂基区内设置有第二N型发射区，N型半导体衬底设置有沟槽区，沟槽区内设置有玻璃钝化层，N型半导体衬底设置有第一N型掺杂区、第二N型掺杂区，第二P型掺杂基区和第一P型掺杂基区均设置有金属层，本发明通过调整N型掺杂区的浓度可以得到适当击穿电压的过压浪涌保护器件，N型掺杂区是在刻蚀出沟槽区后形成的，其浓度和结深非常利于控制，不需要极长的扩散时间，从而能大大缩短瞬态浪涌抑制器的制造周期，使得最终的产品参数稳定，生产效率得到显著提高。

公开(公告)号：CN117457549B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311791426.9

申请日：2023-12-25

申请人： 富芯微电子有限公司

发明人： 李盛楠 ,  车振华 ,  倪侠 ,  邹有彪 ,  张荣 ,  陈令峰

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种用于晶闸管管芯生产的表面腐蚀设备，包括腐蚀装置和输送架:腐蚀装置的底座的顶部上设置有支架，底座内升降设置有腐蚀液框，输送架贯穿支架，输送架上等间距设置有管芯安装盘，管芯安装盘通过夹具安装有多个管芯本体；还包括清洗烘干件，清洗烘干件位于支架的底部，清洗烘干件的清洗管位于支架底部，清洗管和电加热板之间通过连接板连接，连接板与第三气缸的输出端连接，第三气缸安装在支架上，本发明实现对管芯本体进行自动化工作，且循环有序的进行生产，从而大大提高了对管芯本体进行表面腐蚀的整体效率；对腐蚀后的管芯，实现了冲洗与干燥一体化处理。

公开(公告)号：CN117434415B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311752953.9

申请日：2023-12-20

申请人： 富芯微电子有限公司

发明人： 李盛楠 ,  倪侠 ,  邹有彪 ,  张荣 ,  黄春

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R1/04

摘要： 本发明公开了一种半导体器件热阻测量设备，包括底板，所述底板上端后侧并排设置有两组竖直架，两组竖直架的上下部均通过横梁固定连接，竖直架上安装有升降台，升降台上设置有温控平台和测试仪，温控平台用于放置待测量的半导体器件，测试仪用于对半导体器件热阻进行测量；所述竖直架上固定安装有连接架，连接架上安装有压合组件，压合组件用于对温控平台上放置的半导体器件进行压紧固定；本发明温控器控制电热片的工作状态，实现对测量座温度的调节，多组测量座可以是相同的温度测量不同型号的半导体器件，也可以在不同的温度下测量相同型号的半导体器件，生成对测量数据的对比，且可以同时测量两组半导体器件，提高测量效率。

公开(公告)号：CN117686867A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311647176.1

申请日：2023-12-04

申请人： 富芯微电子有限公司

发明人： 李盛楠 ,  车振华 ,  倪侠 ,  邹有彪 ,  张荣 ,  陈令峰

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R1/04

摘要： 本发明公开了一种TVS管检测系统，包括定位传送带，定位传送带两侧设置有循环测定装置，循环测定装置包括循环传动带与安装在循环传动带上的两级夹紧装置，定位传送带与循环传动带同步运动；两级夹紧装置包括能够在竖直方向上往复运动的锁紧机架，锁紧机架靠近定位传送带的一侧上安装有夹紧嘴，夹紧嘴用于对TVS管的两级进行夹紧；本发明通过TVS管定位装置与两级夹紧装置同步运动，能够对流水线上的TVS管进行在线移动检测，整个过程中传送带无需停机，无需对待检测的TVS管进行移动，能够大大的提升检测效率，且相较于传统的自动检测方法中通过设置机械手一一进行检测的方式，能够减少设备投入成本。

公开(公告)号：CN117673903A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311637041.7

申请日：2023-12-01

申请人： 富芯微电子有限公司

发明人： 车振华 ,  邹有彪 ,  倪侠 ,  李盛楠 ,  张荣

IPC分类号： H01T13/02 ,  H01T13/20 ,  H01T21/02

摘要： 本发明公开了高能点火放电管及其制备工艺，涉及放电管技术领域，放电管包括陶瓷外壳、正极放电组件以及负极放电组件；正极放电组件以及负极放电组件组件相对布设在陶瓷外壳内，正极放电组件包括正电极以及正极支撑机构，负极放电组件包括负电极以及负极支撑机构，陶瓷外壳的材料化学成分按照质量百分数计包括：氧化铝、二氧化硅、碳酸钙、氧化镁、氧化钛、碳化钨、硅化钨、石墨烯、改性高岭土、纳米级氧化钼，采用经过壳聚糖改性后的高岭土为原料，能够吸附空气中的污染物，该材料能够进行两次固化，成型效果好，产品表面平滑，有利于后期进行烧结。

公开(公告)号：CN115020487A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210725780.0

申请日：2022-06-23

申请人： 富芯微电子有限公司

发明人： 邹有彪 ,  王全 ,  倪侠 ,  张荣 ,  徐玉豹

IPC分类号： H01L29/51

摘要： 本发明公开了功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，涉及半导体器材加工技术领域。包括制备步骤如下：步骤一、提供MOSFET器件：步骤二、对MOSFET器件的表面进行预处理，预处理时间为25min～35min；步骤三、将MOSFET器件放置到内部倒有酸性溶液的浸泡池内，浸泡15min～25min；步骤四、将MOSFET器件从浸泡池内捞出，然后将其安装到放置装置上固定。本发明通过在制备功率MOSFET器件时，对MOSFET器件表面进行预处理，并在预处理后用酸溶液进行清洗，最后再将其放置到加热炉内通过网加热炉内填充惰性气体，完成了对功率MOSFET器件表面的退火处理，在增强了MOSFET器件栅氧化层的整体强度时，还对MOSFET器件表面的附着杂质进行了全面的清理，提高了MOSFET器件栅氧化层的内部纯度。

公开(公告)号：CN114927484A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210531275.2

申请日：2022-05-16

申请人： 富芯微电子有限公司

发明人： 倪侠 ,  王全 ,  邹有彪 ,  张荣 ,  徐玉豹

IPC分类号： H01L23/32 ,  H01L23/48 ,  H01L29/74

摘要： 本发明公开了一种双向三端固体放电管，涉及双向三端固体放电管技术领域。包括安装座、第一放电管和第二放电管，第一放电管自左向右依次设置有第一正极引脚、第一负极引脚和第一门级引脚，第二放电管自左向右依次设置有第二正极引脚、第二负极引脚和第二门级引脚，所述安装座顶端一侧自左向右依次固定有第一导电柱、第二导电柱和第三导电柱，第一导电柱和第二导电柱柱体均形成有拱柱。本发明设置有安装座、第一导电柱、第二导电柱和第三导电柱，第一导电柱、第二导电柱和第三导电柱为预先固定在安装座上，安装时将第一放电管和第二放电管放置在限位导板上，并将相关引脚直接插入到第一导电柱、第二导电柱和第三导电柱内。

公开(公告)号：CN114284263A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111596213.1

申请日：2021-12-24

申请人： 富芯微电子有限公司

发明人： 邹有彪 ,  倪侠 ,  徐玉豹 ,  张荣 ,  王全 ,  霍传猛 ,  肖海林

IPC分类号： H01L27/082

摘要： 本发明公开了一种三路TVS保护器件，其特征在于，包括N型半导体衬底，N型半导体衬底内设置有N型电压调制区，N型电压调制区上设置有P型掺杂区，P型掺杂区的内部设置有N型掺杂区，N型半导体衬底的上表面设置有两个第一绝缘层，N型半导体衬底的下表面设置有第二绝缘层，两个第一绝缘层的表面上分别设置有第一金属区和第二金属区，第二绝缘层的表面上设置有第三金属区；N型掺杂区、P型掺杂区、N型电压调制区及N型半导体衬底构成第一个基极浮空NPN三极管；N型半导体衬底的上下表面的两侧上分别设置有沟槽及钝化层；本发明的三路TVS保护器件，实现高工作电压线路的三路过压保护，减小PCB线路板的面积。

公开(公告)号：CN114203536A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111480941.6

申请日：2021-12-06

申请人： 富芯微电子有限公司

发明人： 倪侠 ,  邹有彪 ,  张荣 ,  王全 ,  霍传猛 ,  肖海林

IPC分类号： H01L21/228 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L21/66

摘要： 本发明公开了一种改善划片崩边的方法，包括以下步骤:步骤一：晶圆准备：选取MCZ硅单晶片，5寸晶向 ，电阻率5.0‑6.5Ω/cm，厚度220μm±10％；步骤二：划片道掺杂：在炉温1120℃，氧气2L/min、氮气3L/min、携源氮气1.2L/min的工况下进行磷液态源淀积；在炉温1140℃，氧气2.5L/min、氮气4L/min的工况下进行磷源推进；使用四探针测试扩散方块电阻0.6Ω±10％，结深12μm±10％，本发明中是对划片道区域作高浓度的杂质掺杂工序，让划片道变得“疏松”，从而降低划片崩边以及由此所造成的晶格损伤的严重度，提高晶圆的划片质量。

公开(公告)号：CN117174761A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311447479.9

申请日：2023-11-02

申请人： 富芯微电子有限公司

发明人： 邹有彪 ,  李盛楠 ,  倪侠 ,  徐玉豹 ,  王全 ,  张荣

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种电压非对称双向TVS器件及其制造方法，包括N型半导体衬底，N型半导体衬底的上侧设置有N型外延层，N型外延层和N型半导体衬底均设置有第一钝化层，N型外延层的内部设置有P型注入区，P型注入区的两侧均设置有P型掺杂区，P型注入区的上侧且位于N型外延层的内部处设置有N型掺杂区，本器件通过N型半导体衬底、P型注入区、N型掺杂区等的设置，成功实现了一个TVS器件即可对两个不同耐压等级的线路进行保护，极大提高了本器件的使用效率，同时，由于本发明采用了N型半导体衬底和N型外延层，大大降低了本器件制造的工艺难度及成本，且制造方法凝练、易操作，具有很大的应用前景。