本公开涉及金属互连技术领域，提供了一种金属互连结构的制备方法、金属互连结构以及半导体组件。该制备方法包括如下步骤：提供电介质层，电介质层中具有互连凹槽；在互连凹槽中制备金属互连层；以及，采用包括钴有机化合物的原料，通过原子层沉积法在金属互连层上制备钴金属层，在钴有机化合物中，钴原子与四个氮原子以单键键合，四个氮原子两两成对，每对氮原子之间以有机基团相连接。相较于传统技术，通过原子层沉积法的方式制备钴膜，能够有效提高钴膜的制备可控性以及薄膜质量。