本发明公开了一种氮化镓集成功率芯片及其制造方法。氮化镓集成功率芯片包括基板、设置在基板上的共源共栅级联结构、金属片和塑封料。共源共栅级联结构包括氮化镓晶体管和硅晶体管，氮化镓晶体管的源极与硅晶体管的漏极连接，氮化镓晶体管的栅极与硅晶体管的源极连接。金属片与氮化镓晶体管和/或硅晶体管连接。塑封料包封共源共栅级联结构，金属片暴露于塑封料外以用于散热。本发明的技术方案中，金属片与氮化镓晶体管和/或硅晶体管连接，通过金属片暴露于塑封料外可以进行散热，减少传热路径，使得氮化镓集成功率芯片的散热能力极大地提高，增强氮化镓集成功率芯片的可靠性。