本申请提供一种芯片排晶方法及其装置，涉及芯片排晶技术领域。该方法包括：将载有待排芯片的载体与待置组件之间的距离划分为预升高度和留白高度；所述留白高度的高度值大于待排芯片的厚度；以第一速度将待排芯片顶升所述预升高度；监测到达所述预升高度后的待排芯片与所述待置组件之间实际间隙的实际高度值；以第二速度顶升待排芯片上升所述实际高度值。本方法将芯片排晶过程中的顶起操作分为两步，并在第二次顶升前检测待排芯片与待置组件之间的实际间隙高度值。这样通过检测到的实际间隙高度值可以精准把控芯片被继续顶升的高度，以使芯片恰好贴置待置组件上，避免芯片因上升高度不精准而导致的排晶漏排或芯片暗伤的问题。