本发明提供一种分栅闪存器件的制造方法，包括：在衬底上形成栅氧化层、浮栅层、氧化硅介质层、擦除栅层和第一氮化硅层；在第一氮化硅层中刻蚀一开口；形成第一侧墙；刻蚀开口底部的擦除栅层；形成第二侧墙；刻蚀开口底部的浮栅层；形成源区；形成第三侧墙；去除部分厚度的第一氮化硅层和部分第三侧墙；形成源线；去除多余的第一侧墙、第二侧墙和源线。本申请通过先形成较厚的第一氮化硅层，然后形成第一侧墙、第二侧墙，接着形成第三侧墙，再去除部分厚度的第一氮化硅层，这样可以在不影响后续的逻辑集成工艺的情况下，降低了形成第三侧墙的难度，改善第三侧墙的形貌、厚度均匀性，提高了器件抗击穿能力，避免了数据发生串扰的问题。