本发明提供一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法，器件包括漏极金属及其上方的N型衬底、N型外延层、N型JFET区、P型体区、N型源区和源极金属，在N型外延层的一端设有纵向沟槽，纵向沟槽的上端位于源极金属的内部，下端延伸至N型JFET区中，在纵向沟槽内部设有沟槽栅多晶硅，且沟槽栅多晶硅的上表面被栅极介质层覆盖，下表面和侧面被沟槽栅氧化层包裹；相邻两个纵向沟槽之间间隔设置P型屏蔽区，P型屏蔽区部分包裹纵向沟槽的表面，并且P型屏蔽区的上表面通过源极金属与N型源区相连接，P型屏蔽区的正下方设置有P型埋层区，P型埋层区N型JFET区进入N型外延层中。本发明沟槽型碳化硅器件的导通电阻大大降低。