本发明提供一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法，包括接入晶体管、公用底电极、若干个顶电极，公用底电极上设有MPB氧化铪基介电层，顶电极沿着竖直方向依次设置，MPB氧化铪基介电层设置在公用底电极和顶电极之间；公用底电极、MPB氧化铪基介电层以及一个顶电极构成一个MPB氧化铪基电容，多个MPB氧化铪基电容垂直堆叠。本发明针对集成电路产业的海量信息存算需求，以及“1T‑1C”DRAM随特征尺寸持续缩放的存储窗口和电荷信号密度，提供一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法，通过多态相边界材料的超高介电特性，显著提升DRAM电荷信号密度并支撑多值存储及存算融合DRAM应用，以满足后摩尔时代集成电路对于信息密度与功能的升级需求。