- 专利标题: 一种半导体发光结构及其制备方法、封装模块
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申请号: CN202310619798.7申请日: 2023-05-30
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公开(公告)号: CN116345302B公开(公告)日: 2023-08-15
- 发明人: 程洋 , 赵武 , 王俊 , 王渝沛 , 章宇航 , 郭银涛 , 夏明月 , 廖新胜 , 闵大勇
- 申请人: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市高新区漓江路56号;
- 专利权人: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司,苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
- 当前专利权人: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司,苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市高新区漓江路56号;
- 代理机构: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 薛异荣
- 主分类号: H01S5/065
- IPC分类号: H01S5/065
摘要:
本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法、封装模块,半导体发光结构包括:位于半导体衬底层上的下限制层;位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧依次层叠的下波导层、有源层、上波导层和上限制单元;上限制单元包括第一上限制层、第二上限制层和第三上限制层,所述第一上限制层包括第一中间区和第一边缘区,第一边缘区在第一上限制层的宽度方向上分别位于第一中间区的两侧,第二上限制层位于第一边缘区背离上波导层的一侧,第三上限制层位于第一中间区背离上波导层的一侧,第二上限制层的掺杂浓度大于第一上限制层的掺杂浓度且大于第三上限制层的掺杂浓度。所述半导体发光结构避免光束质量退化。
公开/授权文献
- CN116345302A 一种半导体发光结构及其制备方法、封装模块 公开/授权日:2023-06-27