-
-
公开(公告)号：CN118867837A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411328037.7
申请日：2024-09-24
摘要： 本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：位于有源层背离半导体衬底层一侧的光子晶体层，光子晶体层包括第一层和第二层，第二层延伸至第一层中并覆盖第一层背离有源层的一侧表面，第二层的折射率高于第一层的折射率；位于光子晶体层背离有源层一侧的布拉格反射镜，布拉格反射镜包括交替层叠的第三层和第四层，第三层的折射率高于第四层的折射率；位于布拉格反射镜和光子晶体层之间的过渡层，过渡层与第三层接触，过渡层中的Al组分大于第二层中的Al组分且小于第三层中的Al组分，且过渡层中的Al组分自布拉格反射镜朝向光子晶体层的方向递减。半导体发光结构的出光效率提高。
-
公开(公告)号：CN117169173A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311316823.0
申请日：2023-10-12
摘要： 本发明提供一种外延片光致发光测试装置及其工作方法，其中外延片光致发光测试装置包括：发光结构；旋转支撑座；承载平台，位于旋转支撑座上，承载平台的承载面与旋转支撑座所在的平面垂直，承载平台中具有贯穿承载平台的固定轴，固定轴与旋转支撑座固定连接；载物托盘，位于承载平台的承载面上，载物托盘适于承载外延片，外延片背离承载平台的一侧表面接收发光结构发射出的光；光谱分析仪，光谱分析仪对外延片侧面发出的光进行信息采集与信息输出。所述外延片光致发光测试装置结构简单且测试精确。
-
公开(公告)号：CN116345302B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310619798.7
申请日：2023-05-30
IPC分类号： H01S5/065
摘要： 本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法、封装模块，半导体发光结构包括：位于半导体衬底层上的下限制层；位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧依次层叠的下波导层、有源层、上波导层和上限制单元；上限制单元包括第一上限制层、第二上限制层和第三上限制层，所述第一上限制层包括第一中间区和第一边缘区，第一边缘区在第一上限制层的宽度方向上分别位于第一中间区的两侧，第二上限制层位于第一边缘区背离上波导层的一侧，第三上限制层位于第一中间区背离上波导层的一侧，第二上限制层的掺杂浓度大于第一上限制层的掺杂浓度且大于第三上限制层的掺杂浓度。所述半导体发光结构避免光束质量退化。
-
公开(公告)号：CN116345302A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310619798.7
申请日：2023-05-30
IPC分类号： H01S5/065
摘要： 本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法、封装模块，半导体发光结构包括：位于半导体衬底层上的下限制层；位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧依次层叠的下波导层、有源层、上波导层和上限制单元；上限制单元包括第一上限制层、第二上限制层和第三上限制层，所述第一上限制层包括第一中间区和第一边缘区，第一边缘区在第一上限制层的宽度方向上分别位于第一中间区的两侧，第二上限制层位于第一边缘区背离上波导层的一侧，第三上限制层位于第一中间区背离上波导层的一侧，第二上限制层的掺杂浓度大于第一上限制层的掺杂浓度且大于第三上限制层的掺杂浓度。所述半导体发光结构避免光束质量退化。
-
公开(公告)号：CN114481088B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210401562.1
申请日：2022-04-18
摘要： 本发明提供了一种超晶格有源层及半导体发光结构的制作方法，在形成任意单层的InxGa1‑xAs膜的过程中采用第一路镓源气体和第二路镓源气体，第二路镓源气体的流量远小于第一路镓源气体的流量；对于厚度不同的多层InxGa1‑xAs膜，第二路镓源气体的平均流量随着InxGa1‑xAs膜的厚度的增加而增加；和/或，在形成任意单层的InyAl1‑yAs膜的过程中采用第一路铝源气体和第二路铝源气体，第二路铝源气体的流量远小于第一路铝源气体的流量；对于厚度不同的多层InyAl1‑yAs膜，所述第二路铝源气体的平均流量随着InyAl1‑yAs膜的厚度的增加而增加。
-
公开(公告)号：CN114430002B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210353728.7
申请日：2022-04-06
摘要： 一种高效率有源层和半导体发光器件及其制备方法，高效率有源层包括：应变量子阱层；位于所述应变量子阱层一侧的第一应变势垒层，所述第一应变势垒层用于传输电子；所述第一应变势垒层和所述应变量子阱层用于形成应变补偿；位于所述应变量子阱层另一侧的第二势垒层，所述第二势垒层用于传输空穴；所述第一应变势垒层的导带与所述应变量子阱层的导带之间的带阶小于所述应变量子阱层的价带与所述第一应变势垒层的价带之间的带阶，且所述应变量子阱层的价带与第二势垒层的价带之间的带阶小于所述第二势垒层的导带与所述应变量子阱层的导带之间的带阶。提高了发光效率和可靠性。
-
公开(公告)号：CN112542770B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202011410736.8
申请日：2020-12-04
摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：非掺杂GaInP有源层；P型GaAlInP半导体层，所述P型GaAlInP半导体层中掺杂有Zn离子；位于所述P型GaAlInP半导体层和所述非掺杂GaInP有源层之间的第一扩散截止层，所述第一扩散截止层的材料为(Ga1‑x1Alx1)1‑y1Iny1As1‑z1Pz1。第一扩散截止层可以阻挡Zn离子从P型GaAlInP半导体层往非掺杂GaInP有源层扩散，第一扩散截止层中的Al可调节扩散截止层的禁带宽度，降低第一扩散截止层前后层之间的能级差，进而可以提升半导体器件的性能。
-
公开(公告)号：CN111682400B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010574296.3
申请日：2020-06-22
摘要： 本发明提供一种接触层的制作方法、半导体激光器及其制作方法，接触层的制作方法为先在所述半导体激光器的外延层上形成非掺杂半导体层，再对所述非掺杂半导体层进行掺杂。采用此制作方法制作的接触层包括掺杂区域和非掺杂区域，非掺杂区域电流无法注入，只有掺杂区域能够注入电流，并且掺杂区域内能够注入电流面积沿腔长方向逐渐增大，以抵消谐振腔内的光子密度分布不均导致的载流子密度和增益沿增反膜到减反膜方向不均匀分布的影响，使载流子在腔长方向均匀分布，提高半导体激光器的输出功率和性能稳定性。半导体激光器的电极直接在接触层上制作，电极与接触层之间无介质薄膜，电极与接触层粘附牢固、不易脱落。
-
公开(公告)号：CN111682403B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010574282.1
申请日：2020-06-22
摘要： 本发明提供一种限制层结构及其制作方法、半导体激光器及其制作方法，限制层结构包括间隔分布的若干介质掩膜块以及在所述若干介质掩膜块之间间隙生成的限制层，其中，所述限制层采用砷化镓层替换现有的砷化铝镓层，从而形成一种介质掩膜块和砷化镓限制层混合的限制层。由于砷化镓的折射率大于砷化铝镓，而介质掩膜块的折射率小于砷化铝镓，形成的混合限制层的折射率可以与现有的砷化铝镓(Al组分40‑90％)相当，能够保证其光学限制效果。形成的混合限制层的导电性优于砷化铝镓(Al组分40‑90％)的导电性。混合限制层导电性提高、氧杂质含量减少，最终将降低半导体激光器的阈值电流、提高其斜率效率和COMD阈值，提升半导体激光器性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
76 条记录 (耗时 0.098 秒)
