发明公开
CN116364149A 一种半导体结构及存储器
无效 - 撤回
- 专利标题: 一种半导体结构及存储器
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申请号: CN202310354331.4申请日: 2023-03-31
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公开(公告)号: CN116364149A公开(公告)日: 2023-06-30
- 发明人: 王学伟
- 申请人: 长鑫存储技术有限公司
- 申请人地址: 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- 专利权人: 长鑫存储技术有限公司
- 当前专利权人: 长鑫存储技术有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- 代理机构: 北京派特恩知识产权代理有限公司
- 代理商 王军红; 胡春光
- 优先权: 2022113369451 20221028 CN
- 主分类号: G11C11/4097
- IPC分类号: G11C11/4097
摘要:
本公开实施例提供了一种半导体结构及存储器,半导体结构包括N个存储阵列片和N‑1个读出放大模块;针对第1个和第N个存储阵列片,其第一部分存储单元电连接到与其相邻的读出放大模块;其第二部分存储单元电连接到其第一部分存储单元;另一方面,第1和第N个存储阵列片各自包括多个双子单元,双子单元包括两个存储有相同数据的存储单元,双子单元通过与其对应的感测放大器同时进行数据的读出和写入。这样,采用本公开实施例能够减小芯片的面积,提高集成度。
IPC分类: