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公开(公告)号：CN117133736A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210557932.0
申请日：2022-05-19
申请人： 长鑫存储技术有限公司
发明人： 王学伟
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60
摘要： 本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括：基体，基体包括多个间隔分布的焊盘；重布线层，重布线层位于基体上；连接柱组，连接柱组包括多个连接柱，多个连接柱间隔地设置于基体上，多个连接柱的顶端暴露于重布线层的上表面，多个连接柱的底端与同一焊盘相连接。由于连接柱组是由多个独立的连接柱形成的，因此可以使得连接柱的顶端与连接柱所在的重布线层的上表面之间的平整度较高，从而可以使得连接柱组能够与其他结构稳定接触，以此改善半导体结构的使用性能。
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公开(公告)号：CN114664796A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210272810.7
申请日：2022-03-18
申请人： 长鑫存储技术有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66 , H01L27/02 , G06F30/392
摘要： 本公开实施例提供一种接触电阻的测试版图及测试方法；其中，所述测试版图包括：有源层，所述有源层包括若干个有源区图案；第一接触栓塞层，所述第一接触栓塞层包括多个重复设置的第一接触栓塞图案；第二接触栓塞层，所述第二接触栓塞层包括多个重复设置的第二接触栓塞图案；第一金属层和第二金属层；所述有源层、所述第一接触栓塞层和所述第一金属层构成第一版图，所述第一版图用来形成第一接触栓塞结构；所述有源层、所述第一接触栓塞层、所述第一金属层、所述第二接触栓塞层和所述第二金属层构成第二版图，所述第二版图用来形成并联的第一接触栓塞结构和第二接触栓塞结构。
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公开(公告)号：CN117995233A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211334018.6
申请日：2022-10-28
申请人： 长鑫存储技术有限公司
发明人： 王学伟
IPC分类号： G11C11/15 , G11C11/4097
摘要： 本公开实施例公开了一种半导体结构及存储器，其中，半导体结构包括：N个存储阵列片和N‑1个读出放大模块；N个存储阵列片沿第一方向依次排布；每个读出放大模块设置于每两个存储阵列片之间；每个存储阵列片包括：多个存储单元；其中，针对第2至N‑1个存储阵列片，其存储单元电连接到与其相邻的读出放大模块；针对第1个存储阵列片和第N个存储阵列片，其存储单元中的一部分电连接到与其不相邻的读出放大模块，其存储单元中的另一部分电连接到与其相邻的读出放大模块。本公开实施例能够避免存储单元的浪费，提高集成度。
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公开(公告)号：CN116364149A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310354331.4
申请日：2023-03-31
申请人： 长鑫存储技术有限公司
发明人： 王学伟
IPC分类号： G11C11/4097
摘要： 本公开实施例提供了一种半导体结构及存储器，半导体结构包括N个存储阵列片和N‑1个读出放大模块；针对第1个和第N个存储阵列片，其第一部分存储单元电连接到与其相邻的读出放大模块；其第二部分存储单元电连接到其第一部分存储单元；另一方面，第1和第N个存储阵列片各自包括多个双子单元，双子单元包括两个存储有相同数据的存储单元，双子单元通过与其对应的感测放大器同时进行数据的读出和写入。这样，采用本公开实施例能够减小芯片的面积，提高集成度。
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公开(公告)号：CN118870796A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310416983.6
申请日：2023-04-13
申请人： 长鑫存储技术有限公司
摘要： 本公开实施例公开了一种半导体器件的布局结构及阵列结构、集成电路的布局结构，其中，半导体器件的布局结构包括：多个第一有源区，均沿第一方向延伸；两个栅极连接结构，沿第一方向排布，每个栅极连接结构均包括互连的2N个第一栅极和2N个第二栅极；第一栅极对应第一有源区；N为正整数；2N个第三栅极；其中，N个第三栅极位于两个栅极连接结构之间，且与两个栅极连接结构的各N个第二栅极对应；剩余的N个第三栅极位于一个栅极连接结构远离另一个栅极连接结构的一侧，且与一个栅极连接结构剩余的N个第二栅极对应；第二栅极以及第三栅极均沿第二方向延伸；第二方向与第一方向垂直。
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公开(公告)号：CN118818891A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310384609.2
申请日：2023-04-06
申请人： 长鑫存储技术有限公司
发明人： 王学伟
摘要： 本公开实施例涉及一种掩膜版的版图布局及半导体结构的制备方法，掩膜版的版图布局包括：第一掩膜图形，用于定义阵列区的有源衬底；第二掩膜图形，与部分第一掩膜图形重合，用于定义位于阵列区的有源衬底中的多个沿第一方向延伸的初始第一有源区；第三掩膜图形，与部分第二掩膜图形重合，用于定义位于阵列区的有源衬底中的第一沟槽；第四掩膜图形，与部分第二掩膜图形重合，用于定义位于阵列区的有源衬底中的第二沟槽，第一沟槽以及第二沟槽用于将初始第一有源区分隔成沿第一方向间隔排布的多个第一有源区，其中，第一掩膜图形、第二掩膜图形、第三掩膜图形以及第四掩膜图形中的任意两者还用于定义位于外围区的衬底中的第二有源区。
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公开(公告)号：CN115274654A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211046364.4
申请日：2022-08-30
申请人： 长鑫存储技术有限公司
发明人： 王学伟
IPC分类号： H01L27/02 , H01L23/60 , H01L27/085 , H01L21/77
摘要： 本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括：位于衬底上的器件结构和保护结构；所述器件结构包括至少一个晶体管；所述保护结构包括位于所述衬底上的栅极结构；所述晶体管的栅极和所述栅极结构通过第一导电结构电连接；所述栅极结构在所述衬底上的投影面积大于所述晶体管的栅极在所述衬底上的投影面积；所述保护结构被配置为在所述器件结构通电时释放存储于所述器件结构的寄生电荷。
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公开(公告)号：CN209045505U
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201822028252.1
申请日：2018-11-30
申请人： 长鑫存储技术有限公司
发明人： 王学伟
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本实用新型提供了一种湿法处理设备，通过在向喷嘴供液的供液管道上增设一回吸管道，并在所述回吸管道上设置一回吸阀，使得在停止喷嘴喷液时，可以进一步打开回吸阀，以产生负压，使喷嘴及其附近的供液管道中残留的液体回吸，有效防止这些残留的化学液从喷嘴处滴落的可能性，进而消除因喷嘴处化学液偷滴而产生的线状缺陷，提高产品良率，改善湿法处理设备的处理效率并提升湿法处理设备的产出良率。
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