发明公开
- 专利标题: 一种碳化硅晶片剥离装置和方法
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申请号: CN202310181760.6申请日: 2023-02-28
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公开(公告)号: CN116364602A公开(公告)日: 2023-06-30
- 发明人: 尹韶辉 , 刘坚 , 邱蕾 , 郑延青 , 钱泽梁
- 申请人: 江苏优普纳科技有限公司 , 无锡市锡山区半导体先进制造创新中心
- 申请人地址: 江苏省无锡市锡山区通云南路77号云林科技园4号楼;
- 专利权人: 江苏优普纳科技有限公司,无锡市锡山区半导体先进制造创新中心
- 当前专利权人: 江苏优普纳科技有限公司,无锡市锡山区半导体先进制造创新中心
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市锡山区通云南路77号云林科技园4号楼;
- 代理机构: 北京思睿峰知识产权代理有限公司
- 代理商 谢建云; 赵爱军
- 主分类号: H01L21/67
- IPC分类号: H01L21/67 ; H01L21/02
摘要:
本发明公开了一种碳化硅晶片剥离装置和方法。碳化硅晶片剥离装置,包括:剥离单元和控制单元;剥离单元,包括:顶升部,适于利用顶升力将碳化硅晶片从晶锭中进行剥离;缓冲部,与顶升部固接,适于在顶升部的顶升力达到预设值时,在顶升部与碳化硅晶片之间形成缓冲;驱动部,与缓冲部固接,适于驱动缓冲部和顶升部靠近或远离碳化硅晶片;控制单元,与驱动部电信连接,适于控制驱动部启动或关闭。该装置在顶升部的顶升力达到预设值时,通过缓冲部在顶升部与碳化硅晶片之间形成缓冲,达到保护晶片的目的,减少碳化硅晶片剥离时破片率较高的问题。
IPC分类: