一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置

    公开(公告)号:CN115513043A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202211262662.7

    申请日:2022-10-14

    IPC分类号: H01L21/02 B24B27/033 B24B7/22

    摘要: 本发明公开了一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置,其中,碳化硅晶锭包括待剥离的晶片层、改质层和碳化硅基板,且改质层位于晶片层和碳化硅基板之间。本发明的从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法包括:通过超声振动向碳化硅晶锭的改质层中注入预先备好的液体,待液体充满改质层后,对充入液体的碳化硅晶锭进行冷却处理,直至液体结冰使改质层膨胀断裂,晶片层与碳化硅基板分离,接着对分离后的晶片层进行磨削,得到晶片。本发明能够降低碳化硅晶片剥离时的材料损耗,从而可以有效提高碳化硅晶锭的利用率,并且本发明还能提高加工效率、降低制造成本。

    一种转台结构
    2.
    发明公开
    一种转台结构 审中-实审

    公开(公告)号:CN116276155A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310193328.9

    申请日:2023-03-01

    IPC分类号: B23Q1/26

    摘要: 本发明公开了一种转台结构,包括:基体、设置在基体上的转台部和驱动部;其中,转台部,包括固定轴、主轴轴承和台面,固定轴的一端与基体固定连接,主轴轴承套接在固定轴远离基体一端,台面上设置有通孔,台面通过通孔套接在主轴轴承上;驱动部,包括电机、传动杆、同步带和带轮,带轮通过传动杆与电机连接,同步带分别缠绕带轮和台面。该转台结构,利用转台部实现转台结构的回转,通过驱动部分实现转台结构的往复运动,减小了零件加工要求,降低了加工成本。

    一种碳化硅晶片剥离装置和方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116364602A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310181760.6

    申请日:2023-02-28

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/02

    摘要: 本发明公开了一种碳化硅晶片剥离装置和方法。碳化硅晶片剥离装置,包括:剥离单元和控制单元;剥离单元,包括:顶升部,适于利用顶升力将碳化硅晶片从晶锭中进行剥离;缓冲部,与顶升部固接,适于在顶升部的顶升力达到预设值时,在顶升部与碳化硅晶片之间形成缓冲;驱动部,与缓冲部固接,适于驱动缓冲部和顶升部靠近或远离碳化硅晶片;控制单元,与驱动部电信连接,适于控制驱动部启动或关闭。该装置在顶升部的顶升力达到预设值时,通过缓冲部在顶升部与碳化硅晶片之间形成缓冲,达到保护晶片的目的,减少碳化硅晶片剥离时破片率较高的问题。

    芯片背面检测方法、装置、计算设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117173112A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202311034255.5

    申请日:2023-08-16

    IPC分类号: G06T7/00 G06T7/11 G06T7/70

    摘要: 本发明公开了一种芯片背面检测方法、装置、计算设备及存储介质,涉及视觉检测技术领域。方法包括:获取晶圆的宏观图像,根据所述宏观图像对晶圆的微观成像位置进行路径规划,得到路径规划坐标;根据所述路径规划坐标来控制微观成像设备采集晶圆的微观图像,所述晶圆上包括多个芯片;对所述微观图像进行分割,以得到多个芯片背面图像;根据每个所述芯片背面图像进行检测,以确定每个芯片背面的缺陷类型和缺陷位置,得到每个芯片的背面检测结果;根据所有芯片的背面检测结果,绘制生成晶圆Map图像。根据本发明的技术方案,实现了自动化微观成像,提高了对芯片背面进行缺陷检测的精度和效率,通过生成Map图像实现检测结果的可视化。

    工件内孔轮廓的椭圆检测方法、计算设备及存储介质

    公开(公告)号:CN116630266A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310587590.1

    申请日:2023-05-23

    摘要: 本发明公开了一种工件内孔轮廓的椭圆检测方法、计算设备及存储介质,方法包括:基于预定角度步长,从工件的内孔图像上获取内孔轮廓点集合;从内孔轮廓点集合中随机获取预定数量个轮廓点;判断任意两个轮廓点之间的距离是否大于第一距离阈值;如果是,则基于预定数量个轮廓点拟合形成初始椭圆;从内孔轮廓点集合中随机获取下一个轮廓点,判断下一个轮廓点到初始椭圆的距离是否小于第二距离阈值;如果是,则确定内孔轮廓点集合中到初始椭圆的距离小于第二距离阈值的所有目标轮廓点的目标覆盖角度值;判断目标覆盖角度值是否大于第一覆盖角度阈值,如果是,则根据初始椭圆得到椭圆参数。根据本发明的技术方案,有利于提高椭圆检测效率和精度。

    小型可插拔收发光模块底座缺陷的检测方法

    公开(公告)号:CN115409785A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202210981372.1

    申请日:2022-08-16

    发明人: 刘坚 杨德志 陈宁

    摘要: 本发明公开了小型可插拔收发光模块底座缺陷的检测方法,包括:获取光模块底座的图像;将光模块底座的图像输入到目标检测模型中,得到光模块底座的缺陷检测结果;其中,目标检测模型通过下述方式生成:构建样本数据集,并将样本数据集输入预训练模型;通过K‑means++算法,生成样本数据集中每个样本数据的多个先验框;将多个先验框中的每个先验框与该样本数据所标注的真实框进行交并比计算,将交并比的值最大时的先验框作为预测结果;计算预测结果和该真实框的损失函数;基于损失函数,对预训练模型进行优化,得到目标检测模型。本发明的技术方案提升了光模块底座缺陷检测的精度。

    位姿标定方法、系统及计算设备
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117911529A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202410020486.9

    申请日:2024-01-05

    摘要: 本发明公开了一种位姿标定方法、系统及计算设备,方法包括:采集棋盘格标定板的第一图像数据、第一激光距离数据;从多个姿态采集棋盘格标定板的第二图像数据、第二激光距离数据;基于第一图像数据确定面阵相机内参;建立面阵相机坐标系、棋盘格标定板坐标系,确定激光测距传感器的直线方程;基于面阵相机内参、棋盘格标定板的图像数据确定面阵相机外参,并确定面阵相机坐标系下的激光光斑坐标集;获取棋盘格标定板的多组坐标与距离对应数据;基于激光光斑坐标集拟合形成空间直线并将其方向向量确定为激光测距传感器的光轴方向向量值,进而确定激光测距传感器的原点坐标值。本发明能够提高激光测距传感器与面阵相机之间空间位姿关系的标定效率。

    小型可插拔收发光模块底座缺陷的检测方法

    公开(公告)号:CN115409787A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202210983492.5

    申请日:2022-08-16

    发明人: 刘坚 杨德志 陈宁

    IPC分类号: G06T7/00 G06V10/764 G06V10/25

    摘要: 本发明公开了一种小型可插拔收发光模块底座缺陷的检测方法,包括:获取光模块底座的图像;对光模块底座的图像进行预处理;根据光模块底座的缺陷分布位置,从预处理后的图像提取出至少一个感兴趣区域;将提取到的感兴趣区域作为检测块进行缺陷检测,得到检测块的缺陷类型;采用与缺陷类型相应的算法提取检测块的特征向量;将特征向量输入训练好的分类模型中,判断检测块中是否存在缺陷类型对应的缺陷。本发明的技术方案提升了小型可插拔收发光模块底座缺陷检测的准确率。