本发明提供了一种大颗粒SiC料合成装置及工艺，属于SiC制备技术领域，包括坩埚和载体组件。所述坩埚具有盛放硅粉、碳粉的空腔，所述载体组件包括由石墨材料形成的固定部和载体部，所述固定部与所述坩埚的开口相适配，且所述固定部沿所述空腔的方向开设有孔槽，所述载体部悬挂至所述孔槽，并向所述空腔内的硅粉、碳粉进行延伸。该装置能够配合本工艺得到>3mm的SiC颗粒（一般不低于40%），具体的，在本工艺条件下，部分颗粒尺寸还可达6mm以上，其中，>3mm颗粒占比可以达到70％，因此有效的改善SiC粉料的粒径影响生长气氛中的Si/C比以及生长的速度。