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公开(公告)号：CN116393044A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310658082.8
申请日：2023-06-06
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏创盛新材料科技有限公司 , 浙江晶瑞电子材料有限公司
IPC分类号： B01J6/00 , C30B29/36 , C30B23/00 , B01J19/24 , C01B32/984
摘要： 本发明提供了一种大颗粒（3mm）SiC料合成装置及工艺，属于SiC制备技术领域，包括坩埚和载体组件。所述坩埚具有盛放硅粉、碳粉的空腔，所述载体组件包括由石墨材料形成的固定部和载体部，所述固定部与所述坩埚的开口相适配，且所述固定部沿所述空腔的方向开设有孔槽，所述载体部悬挂至所述孔槽，并向所述空腔内的硅粉、碳粉进行延伸。该装置能够配合本工艺得到>3mm的SiC颗粒（一般不低于40%），具体的，在本工艺条件下，部分颗粒尺寸还可达6mm以上，其中，>3mm颗粒占比可以达到70％，因此有效的改善SiC粉料的粒径影响生长气氛中的Si/C比以及生长的速度。
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公开(公告)号：CN116121879A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310398638.4
申请日：2023-04-14
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏创盛新材料科技有限公司 , 浙江晶瑞电子材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于大尺寸蓝宝石晶体生长制备装置，属于蓝宝石晶体生长制备技术领域，制备组件包括炉体以及用于承接晶体的坩埚，炉体的炉底板上具有托盘，托盘上连接有供坩埚升降的驱动件，加热组件包括加热器以及与加热器相连的第一电极，其中，炉底板的下方设有一升降结构，升降结构可驱动第一电极在炉底板上滑动，以推动加热器进行反复升降动作，第一电极与炉底板相交处设有密封座，密封座上设有易融结构，当坩埚泄露时，其熔融液体可将易融结构融穿，形成排液通道。该装置能够使得晶体内应力及开裂问题得到根本改善和解决，同时，当坩埚发生相应的开裂情况下，使其熔融状态的氧化铝液体排出，避免存储在炉体底壁上。
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公开(公告)号：CN116393044B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310658082.8
申请日：2023-06-06
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏创盛新材料科技有限公司 , 浙江晶瑞电子材料有限公司
IPC分类号： B01J6/00 , C30B29/36 , C30B23/00 , B01J19/24 , C01B32/984
摘要： 本发明提供了一种大颗粒SiC料合成装置及工艺，属于SiC制备技术领域，包括坩埚和载体组件。所述坩埚具有盛放硅粉、碳粉的空腔，所述载体组件包括由石墨材料形成的固定部和载体部，所述固定部与所述坩埚的开口相适配，且所述固定部沿所述空腔的方向开设有孔槽，所述载体部悬挂至所述孔槽，并向所述空腔内的硅粉、碳粉进行延伸。该装置能够配合本工艺得到>3mm的SiC颗粒（一般不低于40%），具体的，在本工艺条件下，部分颗粒尺寸还可达6mm以上，其中，>3mm颗粒占比可以达到70％，因此有效的改善SiC粉料的粒径影响生长气氛中的Si/C比以及生长的速度。
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公开(公告)号：CN116136030A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202310350285.0
申请日：2023-04-04
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏创盛新材料科技有限公司 , 浙江晶瑞电子材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种双向生长碳化硅晶体的装置，属于晶体生长技术领域，该双向生长碳化硅晶体的装置包括下坩埚组件和上坩埚组件。其中，下坩埚组件中下坩埚体具有一向上开口的第一腔室，第一多孔石墨板设置于第一腔室，且第一多孔石墨板和第一腔室的下部配合构成第一容料腔；上坩埚组件中上坩埚体具有一向下开口的第二腔室，第二多孔石墨板设置于第二腔室，且第二多孔石墨板和第二腔室的上部配合构成第二容料腔，上坩埚体设置于下坩埚体上时，第一腔室和第二腔室连通，且第一容料腔和第二容料腔之间能够放置至少一块籽晶件，通过本装置的设置，使得籽晶可在双向进行生长，以获得较厚的晶体。
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公开(公告)号：CN116136030B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310350285.0
申请日：2023-04-04
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏创盛新材料科技有限公司 , 浙江晶瑞电子材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种双向生长碳化硅晶体的装置，属于晶体生长技术领域，该双向生长碳化硅晶体的装置包括下坩埚组件和上坩埚组件。其中，下坩埚组件中下坩埚体具有一向上开口的第一腔室，第一多孔石墨板设置于第一腔室，且第一多孔石墨板和第一腔室的下部配合构成第一容料腔；上坩埚组件中上坩埚体具有一向下开口的第二腔室，第二多孔石墨板设置于第二腔室，且第二多孔石墨板和第二腔室的上部配合构成第二容料腔，上坩埚体设置于下坩埚体上时，第一腔室和第二腔室连通，且第一容料腔和第二容料腔之间能够放置至少一块籽晶件，通过本装置的设置，使得籽晶可在双向进行生长，以获得较厚的晶体。
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公开(公告)号：CN116026487A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310338004.X
申请日：2023-03-31
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： G01K11/00 , C30B15/26 , C30B29/06 , G06V20/00 , G06V10/26 , G06V10/40 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/04 , G06N3/08
摘要： 本申请涉及一种液面温度测量方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取待识别液面图像，所述待识别液面图像包括光圈和所述光圈上的熔点；将所述待识别液面图像输入至预先训练好的特征提取模型，得到光圈特征和熔点特征；将所述光圈特征和熔点特征输入至预先训练好的数据分析模型，得到基于所述熔点特征的第一温度测量结果，以及基于所述光圈特征和所述熔点特征的第二温度测量结果；基于所述第一温度测量结果和所述第二温度测量结果确定综合温度测量结果。采用本方法能够可以实现对液面温度的准确测量，达到提高液面温度测量准确率的效果。
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公开(公告)号：CN115984276A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310267714.8
申请日：2023-03-20
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本申请涉及一种放肩缺陷实时检测方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：通过实时获取晶体放肩阶段的放肩生长图像及对应的拍摄时间、放肩转速信息，对每次获取的放肩生长图像进行区域检测，得到晶体的肩部目标框，并对肩部目标框内区域进行特征检测，得到晶体熔点的第一目标框和晶体棱线的第二目标框，其中，基于肩部目标框确定晶体的中心，根据拍摄时间和放肩转速信息实时更新熔点、棱线相对中心的地标位置，并基于地标位置对第一目标框、第二目标框的追踪位置进行匹配追踪，确定晶体的放肩工艺状态。采用本方法能够实时稳定、精准地追踪晶体在放肩阶段的各熔点、棱线的状态，以确定晶体的放肩工艺状态。
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公开(公告)号：CN116575114B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310863980.7
申请日：2023-07-14
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏鑫晶盛电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种引晶方法，包括：控制籽晶进行引晶以形成晶结；当所述晶结的底锥开始生长后，控制所述底锥在熔融液面处移动，以使所述底锥在所述熔融液面处的横截面半径变化；获取所述底锥在移动前位于所述熔融液面处的横截面半径、所述底锥在移动后位于所述熔融液面处的横截面半径、所述晶结的移动距离以及所述晶结在移动前后的称重值变化量中的三个数据；基于获得的三个数据，获得所述底锥的顶角值；基于所述底锥的顶角值调节引晶过程中的控制参数。本发明解决了底锥的顶角值在熔融液面下方无法被检测的问题。
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公开(公告)号：CN113061981A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110271473.5
申请日：2021-03-12
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司
摘要： 本发明公开一种蓝宝石晶体生长热场结构及其生长方法，包括坩埚的侧、顶和底部均设置加热器，分别为侧加热器、顶加热器和底加热器，这些加热器可独立控制功率。所述生长方法中原位退火包括：侧和底加热器分别缓慢降低功率，顶加热器缓慢增加功率，直到顶部测温单元测温度达1900℃，降温过程下降不超过20℃/hr；顶、侧、底加热器功率不变，维持20hr；顶、侧、底加热器分别缓慢降低功率，直到顶部测温单元测温度达1000℃，降温过程下降不超过20℃/hr；顶、侧、底加热器功率不变，维持20hr；顶、侧、底加热器分别缓慢降低功率到零，冷却到晶体常温，降温过程下降不超过30℃/hr。
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公开(公告)号：CN106929911B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201710201134.3
申请日：2017-03-30
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及蓝宝石晶体生长炉辅助设备，旨在提供一种用于蓝宝石晶体生长的洗晶结构。该种用于蓝宝石晶体生长的洗晶结构包括安装架、卡紧套、导向盘、转动盘、波纹管，能对籽晶杆进行清洗。本发明可实时控制洗晶幅度和频率，洗晶效果好；本发明的操作手柄可采用电机等自动设备带动，实现自动洗晶，减少人工操作，降低人工失误造成籽晶断裂等风险；本发明结构简单，成本低，易于安装，操作方便。
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