本发明公开一种TOPCon电池及其制备方法。将硅片双面抛光后，在硅片背面依次生长隧穿氧化层和多晶硅层，然后依次进行磷扩散、去除正面绕镀、制背面掩膜、制绒、硼扩散、去除背面掩膜后，在硅片正面生长氧化铝层，再在硅片的正面和背面生长氮化硅层，印刷烧结，得TOPCon电池；硼扩散的温度为850‑950℃，时间为2400s‑4500s。本发明提供的TOPCon电池的制备方法，通过改变硼扩散工序的顺序，以及在硅片背面制掩膜后进行制绒和硼扩散的工艺，有效降低了清洗绕镀层的难度，降低了清洗绕镀层的时间和清洗化学品的消耗量，显著提高了TOPCon电池的生产效率，有效降低了生产成本，减少了清洗废液的产生。