一种TOPCon电池及其制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116404069A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310479512.X

    申请日:2023-04-28

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/068

    摘要: 本发明公开一种TOPCon电池及其制备方法。将硅片双面抛光后,在硅片背面依次生长隧穿氧化层和多晶硅层,然后依次进行磷扩散、去除正面绕镀、制背面掩膜、制绒、硼扩散、去除背面掩膜后,在硅片正面生长氧化铝层,再在硅片的正面和背面生长氮化硅层,印刷烧结,得TOPCon电池;硼扩散的温度为850‑950℃,时间为2400s‑4500s。本发明提供的TOPCon电池的制备方法,通过改变硼扩散工序的顺序,以及在硅片背面制掩膜后进行制绒和硼扩散的工艺,有效降低了清洗绕镀层的难度,降低了清洗绕镀层的时间和清洗化学品的消耗量,显著提高了TOPCon电池的生产效率,有效降低了生产成本,减少了清洗废液的产生。

    N型电池硼硅玻璃清洗方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116864571A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310841571.7

    申请日:2023-07-10

    IPC分类号: H01L31/18 H01L21/02 B08B7/00

    摘要: 本发明提供了一种N型电池硼硅玻璃清洗方法及,属于太阳能电池技术领域,所述方法包括:将鹏扩散后的硅片正面朝下放置于载板上;将载板及硅片放入等离子刻蚀机内,等离子刻蚀机激发含氟离子的气体,将硅片背面及边缘的硼硅玻璃刻蚀干净;将经等离子刻蚀机刻蚀后的硅片及载板放入槽式酸洗设备,对硅片背面及边缘进行抛光处理。本发明采用等离子去除的方法,将硼扩散后的硅片正面朝下平放到载板上,然后将载板置于等离子刻蚀机内,等离子刻蚀机激发含氟的气体产生氟粒子,氟离子即可将硅片背面机边缘的硼硅玻璃刻蚀干净,该方式既能有效去除硅片背面及边缘绕扩的硼硅玻璃,又能避免硼扩后的正面受到破坏,能够保证电池的EL测试性能及外观质量。

    一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法

    公开(公告)号:CN115921463A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202310111262.4

    申请日:2023-02-14

    IPC分类号: B08B9/08 B08B7/00 B08B3/08

    摘要: 本发明公开一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法。将待清洗石墨舟置于水汽氧化炉内,于200‑300℃条件下通入水蒸气至炉内压力为10‑20个大气压,阶梯式升温至1100‑1200℃,保温3‑5h,惰性气氛下降温,得预处理石墨舟;将预处理石墨舟浸入氢氟酸溶液中进行酸洗,鼓泡水洗;然后,采用去离子水对石墨舟进行喷淋,风干,升温干燥,得清洁石墨舟。本发明提供的清洗方法,通过水汽氧化使石墨舟表面沉积的多晶硅完全转化为氧化硅,后续利用氢氟酸单一溶液进行酸洗,就可完全去除石墨舟表面沉积的多晶硅,且整个清洗工艺简单,清洗效率高,不会产生混酸和含氮酸溶液,经济效益和环境效益显著,具有广阔的应用前景。

    一种太阳能电池制备用沉淀装置

    公开(公告)号:CN118241195A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410619927.7

    申请日:2024-05-20

    摘要: 本发明提供了一种太阳能电池制备用沉淀装置,属于半导体器件技术领域,包括安装架、旋转台、翻转机构、多个固定架、多个熔覆结构及两个运输通道,安装架上设有横梁和位置调整机构,旋转台安装于横梁的下方,且设有多个预热板;翻转机构安装于安装架的一侧且用于操控电池片翻转;固定架安装于位置调整机构上;熔覆结构安装于固定架上,熔覆结构包括熔覆头、挤压器、加热熔化器;熔覆头设有进料口和出料口,挤压器上设有贯穿孔,加热熔化器与出料口相对应;运输通道与两个预热板相对应。本发明提供的太阳能电池制备用沉淀装置,使金属栅线加工分辨率较高且精度较高,并且可以同时对多块电池片进行加工金属栅线的操作,大大提高了加工效率。