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公开(公告)号:CN116581197A
公开(公告)日:2023-08-11
申请号:CN202310606741.3
申请日:2023-05-26
申请人: 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(保定)有限公司
IPC分类号: H01L31/18
摘要: 本发明提供了一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法,属于太阳能电池技术领域。本发明提供的一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:在硅片受光面制备上隧穿氧化层及上掺杂多晶硅层,在硅片背光面制备下隧穿氧化层及下掺杂多晶硅层;在下掺杂多晶硅层外侧制备氧化硅层;对上掺杂多晶硅层进行激光热处理,形成激光损伤层;将硅片放置于碱性药液中,对硅片的受光面未进行激光热处理的表面进行制绒;对激光损伤层进行化学清洗;对硅片进行钝化减反膜沉积,在进行加工指定区域上印刷上金属栅线。本发明提供的一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法,提升了电池钝化效果,降低受光面的金属接触复合,简化了制备工艺步骤。
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公开(公告)号:CN116404069A
公开(公告)日:2023-07-07
申请号:CN202310479512.X
申请日:2023-04-28
申请人: 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(保定)有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/068
摘要: 本发明公开一种TOPCon电池及其制备方法。将硅片双面抛光后,在硅片背面依次生长隧穿氧化层和多晶硅层,然后依次进行磷扩散、去除正面绕镀、制背面掩膜、制绒、硼扩散、去除背面掩膜后,在硅片正面生长氧化铝层,再在硅片的正面和背面生长氮化硅层,印刷烧结,得TOPCon电池;硼扩散的温度为850‑950℃,时间为2400s‑4500s。本发明提供的TOPCon电池的制备方法,通过改变硼扩散工序的顺序,以及在硅片背面制掩膜后进行制绒和硼扩散的工艺,有效降低了清洗绕镀层的难度,降低了清洗绕镀层的时间和清洗化学品的消耗量,显著提高了TOPCon电池的生产效率,有效降低了生产成本,减少了清洗废液的产生。
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公开(公告)号:CN116230806A
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202310237877.1
申请日:2023-03-13
申请人: 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(保定)有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/06
摘要: 本发明提供了一种降低太阳能电池效率衰减的处理方法及具有防衰减保护层的太阳能电池,属于太阳能电池制备技术领域,包括,将晶硅电池吸附在载片台上;具体地为真空吸附,以防止晶硅电池移动;沿晶硅电池的主栅线铺设挡条;在挡条上铺设网版,并使网版完全覆盖下方的晶硅电池;在网版上涂抹防腐涂料,防腐涂料透过网版涂敷在晶硅电池的细栅线上;烘干,使防腐涂料在晶硅电池的细栅线上固化形成防腐涂层。本发明在晶硅电池正背面细栅线上制作防腐涂层,将金属电极与醋酸蒸汽隔离,避免醋酸与金属电极发生化学反应,提高太阳能电池抗醋酸腐蚀的效率,避免金属电极电阻的增加,降低电池效率衰减的速度,提升太阳能电池的效率。
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公开(公告)号:CN115954413A
公开(公告)日:2023-04-11
申请号:CN202310103241.8
申请日:2023-02-13
申请人: 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(保定)有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/068
摘要: 本发明涉及太阳能电池制造技术领域,具体公开一种SE电池的选择性制绒方法。本发明提供的SE电池的选择性制绒方法,在制绒之前对硅片的重掺杂区进行激光刻蚀,改变重掺杂区的晶粒取向,从而使得硅片接触区和非接触区的晶粒取向不同,进而使得在相同的制绒条件下,接触区和非接触区制绒后表面存在差异,非接触区形成完整有序排列的金字塔形貌,金字塔绒面致密,有利于陷光,对提高电池短路电流有积极作用;接触区部分形成抛光面+制绒面的混绒结构,增大了与电池正面金属浆料的接触性,电池的填充因子得到了显著提高,进而有效提高了电池的转化效率,且整个工艺操作简单,制绒效率高,具有较高的推广应用价值。
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公开(公告)号:CN116864571A
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202310841571.7
申请日:2023-07-10
申请人: 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(保定)有限公司
摘要: 本发明提供了一种N型电池硼硅玻璃清洗方法及,属于太阳能电池技术领域,所述方法包括:将鹏扩散后的硅片正面朝下放置于载板上;将载板及硅片放入等离子刻蚀机内,等离子刻蚀机激发含氟离子的气体,将硅片背面及边缘的硼硅玻璃刻蚀干净;将经等离子刻蚀机刻蚀后的硅片及载板放入槽式酸洗设备,对硅片背面及边缘进行抛光处理。本发明采用等离子去除的方法,将硼扩散后的硅片正面朝下平放到载板上,然后将载板置于等离子刻蚀机内,等离子刻蚀机激发含氟的气体产生氟粒子,氟离子即可将硅片背面机边缘的硼硅玻璃刻蚀干净,该方式既能有效去除硅片背面及边缘绕扩的硼硅玻璃,又能避免硼扩后的正面受到破坏,能够保证电池的EL测试性能及外观质量。
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公开(公告)号:CN116313867A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310284974.6
申请日:2023-03-22
申请人: 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(保定)有限公司
摘要: 本发明涉及晶硅电池制备领域,具体公开了一种SE‑TOPCon电池方块电阻测试方法,具体是将同一片硅片平均分成两部分,上部分用激光掺杂,可选择全打,也可选择图案化的部分打,下半部分不掺杂。退火后测试同一片硅片,上半部分全打而下半部分不打的方案,可以同时测试出重掺区和轻掺区;上部分图案化的部分打方案,可以用不同激光工艺进行掺杂,退火后可以同时测试轻掺区和不同激光掺杂退火后的重掺区方阻。本发明提成了一种简单的监控N型SE‑TOPCon电池选择性硼掺杂重掺杂区和轻掺区方块电阻的方法,同时能够简化调试激光掺杂工艺方块电阻的测试。
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公开(公告)号:CN115921463A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202310111262.4
申请日:2023-02-14
申请人: 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(保定)有限公司
摘要: 本发明公开一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法。将待清洗石墨舟置于水汽氧化炉内,于200‑300℃条件下通入水蒸气至炉内压力为10‑20个大气压,阶梯式升温至1100‑1200℃,保温3‑5h,惰性气氛下降温,得预处理石墨舟;将预处理石墨舟浸入氢氟酸溶液中进行酸洗,鼓泡水洗;然后,采用去离子水对石墨舟进行喷淋,风干,升温干燥,得清洁石墨舟。本发明提供的清洗方法,通过水汽氧化使石墨舟表面沉积的多晶硅完全转化为氧化硅,后续利用氢氟酸单一溶液进行酸洗,就可完全去除石墨舟表面沉积的多晶硅,且整个清洗工艺简单,清洗效率高,不会产生混酸和含氮酸溶液,经济效益和环境效益显著,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN219824351U
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN202320947795.1
申请日:2023-04-24
申请人: 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(保定)有限公司
摘要: 本实用新型提供了一种石英舟及镀膜炉管,属于太阳能电池技术领域,包括舟托、多个石英挡板、多个石英隔板组、介质入口和介质出口;多个石英挡板均固定安装于舟托的上端,石英隔板组包括多个间隔平行布置的石英隔板,石英隔板与对应的石英挡板的侧面固定连接,且相邻的两个石英隔板之间形成安装槽;石英挡板和石英隔板内均设有中空腔,介质入口和介质出口分别与各石英挡板中的中空腔相连通,低温介质自介质入口进入到各石英挡板和各石英隔板内的中空腔内,并在硅片周围形成低温环境。本实用新型提供的石英舟,低温介质借助介质入口进入到石英隔板和石英挡板上的中空腔,并对硅片进行降温,避免硅片出现绕镀现象。
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公开(公告)号:CN118241195A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202410619927.7
申请日:2024-05-20
申请人: 英利能源发展有限公司
IPC分类号: C23C24/10 , H01L31/18 , H01L31/0224
摘要: 本发明提供了一种太阳能电池制备用沉淀装置,属于半导体器件技术领域,包括安装架、旋转台、翻转机构、多个固定架、多个熔覆结构及两个运输通道,安装架上设有横梁和位置调整机构,旋转台安装于横梁的下方,且设有多个预热板;翻转机构安装于安装架的一侧且用于操控电池片翻转;固定架安装于位置调整机构上;熔覆结构安装于固定架上,熔覆结构包括熔覆头、挤压器、加热熔化器;熔覆头设有进料口和出料口,挤压器上设有贯穿孔,加热熔化器与出料口相对应;运输通道与两个预热板相对应。本发明提供的太阳能电池制备用沉淀装置,使金属栅线加工分辨率较高且精度较高,并且可以同时对多块电池片进行加工金属栅线的操作,大大提高了加工效率。
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公开(公告)号:CN114975647B
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202210621074.1
申请日:2022-06-02
申请人: 英利能源发展有限公司
IPC分类号: H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/18
摘要: 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开一种N型背接触太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池包括若干个并联的电池组,每个电池组包括若干个在水平方向串联的电池单元,所述电池单元包括第一硅片和第二硅片,每个硅片背光面上设有的N型区和P型区形成平面螺旋且镶嵌的图形,且所述第二硅片的图形是第一硅片的图形沿水平方向镜像得到。本发明利用氧化硅掩膜及去除掩膜,配合单面硼扩散、单面磷扩散工艺,能够在硅片的背光面上形成平面螺旋且镶嵌的N型区和P型区图形,并形成若干相邻的具有特定图形的独立电池单元,相邻电池单元之间可以通过组件焊接工艺进行串并联连接,从而实现不同的电池参数需求。
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