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公开(公告)号：CN116581197A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310606741.3
申请日：2023-05-26
申请人： 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(保定)有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在硅片受光面制备上隧穿氧化层及上掺杂多晶硅层，在硅片背光面制备下隧穿氧化层及下掺杂多晶硅层；在下掺杂多晶硅层外侧制备氧化硅层；对上掺杂多晶硅层进行激光热处理，形成激光损伤层；将硅片放置于碱性药液中，对硅片的受光面未进行激光热处理的表面进行制绒；对激光损伤层进行化学清洗；对硅片进行钝化减反膜沉积，在进行加工指定区域上印刷上金属栅线。本发明提供的一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法，提升了电池钝化效果，降低受光面的金属接触复合，简化了制备工艺步骤。
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公开(公告)号：CN116404069A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310479512.X
申请日：2023-04-28
申请人： 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(保定)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明公开一种TOPCon电池及其制备方法。将硅片双面抛光后，在硅片背面依次生长隧穿氧化层和多晶硅层，然后依次进行磷扩散、去除正面绕镀、制背面掩膜、制绒、硼扩散、去除背面掩膜后，在硅片正面生长氧化铝层，再在硅片的正面和背面生长氮化硅层，印刷烧结，得TOPCon电池；硼扩散的温度为850‑950℃，时间为2400s‑4500s。本发明提供的TOPCon电池的制备方法，通过改变硼扩散工序的顺序，以及在硅片背面制掩膜后进行制绒和硼扩散的工艺，有效降低了清洗绕镀层的难度，降低了清洗绕镀层的时间和清洗化学品的消耗量，显著提高了TOPCon电池的生产效率，有效降低了生产成本，减少了清洗废液的产生。
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公开(公告)号：CN116230806A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310237877.1
申请日：2023-03-13
申请人： 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(保定)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/06
摘要： 本发明提供了一种降低太阳能电池效率衰减的处理方法及具有防衰减保护层的太阳能电池，属于太阳能电池制备技术领域，包括，将晶硅电池吸附在载片台上；具体地为真空吸附，以防止晶硅电池移动；沿晶硅电池的主栅线铺设挡条；在挡条上铺设网版，并使网版完全覆盖下方的晶硅电池；在网版上涂抹防腐涂料，防腐涂料透过网版涂敷在晶硅电池的细栅线上；烘干，使防腐涂料在晶硅电池的细栅线上固化形成防腐涂层。本发明在晶硅电池正背面细栅线上制作防腐涂层，将金属电极与醋酸蒸汽隔离，避免醋酸与金属电极发生化学反应，提高太阳能电池抗醋酸腐蚀的效率，避免金属电极电阻的增加，降低电池效率衰减的速度，提升太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN116169186A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310117376.X
申请日：2023-02-15
申请人： 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(保定)有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种TOPCon光伏电池的制造方法，包括以下步骤：A、对硅衬底进行制绒；B、对硅衬底正面进行硼扩散；C、去除BSG层；D、在硅衬底背面由内至外依次制备氧化硅层、掺杂微晶硅层和掺杂非晶硅层；E、去除正面非晶硅绕镀；F、在硅衬底的正面制备氧化铝层和氮化硅层，在硅衬底的背面制备氧化铝层和氮化硅层G、涂刷银浆，然后烧结形成电极。本发明可以解决现有技术的不足，提高了TOPCon光伏电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN118699027A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411186606.9
申请日：2024-08-28
申请人： 英利能源发展有限公司
发明人： 刘莹 , 尚琪 , 田思 , 吴萌萌 , 杨雯 , 于添 , 冉旭东 , 崔晓叶 , 张任远 , 王钰蕾 , 李英叶 , 张丽娜 , 周艳双 , 刘亚静 , 张莉沫 , 于波 , 史金超 , 麻超
摘要： 本发明提供了一种光伏设备回收方法，属于光伏发电技术领域，包括S1：将光伏电池置于第一级回收运输生产线上并进行检查；S2：将不同分类的光伏电池分别置于四条第二级回收运输生产线上；S3：操控光伏电池旋转并将光伏电池破碎形成多种破碎件，将多个破碎件抚平而散开；S4：去除铝架、玻璃片、塑料及封胶并分离出硅晶片；S5：将铝架、玻璃片和塑料及封胶、硅晶片置于不同的第三级回收运输生产线上并进行清洗、干燥；S6：将铝架、玻璃片和塑料及封胶、硅晶片分类放置于辅助运输线。本发明提供的光伏设备回收方法，光伏电池破碎之前和破碎之后均进行逐步地分类整理，有效地提高光伏电池的回收操作效率，使光伏电池的回收分类效果较好。
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公开(公告)号：CN116470850A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310545054.5
申请日：2023-05-16
申请人： 英利能源发展有限公司
摘要： 本发明属于光伏组件测试领域，具体公开了一种晶体硅光伏组件PID测试方法，包括步骤S1、对测试样品组件第一次测试，记录最大功率一；S2、对测试样品组件进行PID试验，持续96小时后，在6小时内对测试样品组件进行第二次测试，记录最大功率二；S3、对测试样品组件进行PID后干热恢复处理，将测试样品组件开路放置在85～110℃的环境试验箱内进行干热试验96小时后进行第三次测试，记录最大功率三；若最大功率三＞最大功率二，记录PID后真实功率为最大功率三；若最大功率三≤最大功率二，记录PID后真实功率为最大功率二。本测试方法能够排查其他恢复方法不能恢复的缺陷，降低非本质PID现象造成的功率衰减，提高PID测试的精确性。
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公开(公告)号：CN114823991A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210737855.7
申请日：2022-06-28
申请人： 英利能源发展有限公司
发明人： 王子谦 , 孟庆超 , 翟金叶 , 张伟 , 郎芳 , 徐卓 , 王红芳 , 马红娜 , 赵学玲 , 潘明翠 , 王平 , 张文辉 , 吝占胜 , 张雷 , 吴萌萌 , 王钰蕾 , 张任远 , 张莉沫 , 李英叶 , 张丽娜 , 李锋 , 史金超
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747
摘要： 本发明提供了一种背接触电池的制备方法及背接触电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和硼硅玻璃层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼硅玻璃层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。本发明提供的一种背接触电池的制备方法及背接触电池，大大简化了背接触电池背场和背发射极制备工艺步骤，降低电池成本。
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公开(公告)号：CN116890366A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310908320.6
申请日：2023-07-24
申请人： 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(天津)有限公司
摘要： 本发明属于光伏组件生产设备技术领域。公开一种光伏组件修边装置及其方法，包括：支撑架；输送台，可升降的设置在支撑架内，输送台表面用于输送并支撑光伏组件；四个裁边组件，分别设置在支撑架四个内壁上，裁边组件用于对光伏组件裁边；定位夹持组件，支撑架每个侧壁上至少设置有一组，定位夹持组件包括与支撑架侧壁滑动连接的安装架，安装架上设置有定位件和夹持件，夹持件位于定位件靠近光伏组件的一侧，定位件与夹持件传动连接，光伏组件位于夹持件的两夹持端之间。本发明能够实现对光伏组件的定位结构和固定结构进行组合，减少占用面积，同时，在对光伏组件进行修边时，定位结构不需要复位，提高修边效率。
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公开(公告)号：CN115284725A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211064831.6
申请日：2022-09-01
申请人： 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(天津)有限公司
摘要： 本发明公开一种光伏组件层压设备及层压工艺，包括：下壳体，下壳体内设置有传动机构，固定孔内固接有抵接机构，下壳体内腔中部设置有加热机构；上壳体的内腔中部固接有限位板，限位板的下方设置有密封盖，密封盖的顶部两侧分别设置有升降机构，密封盖底面设置有密封件，密封盖一侧外壁设置有真空发生机构，密封盖的另一侧外壁设置有进气机构，上壳体内腔顶面固接有压紧气缸，缓冲壳体底面固接有压紧机构，压紧杆的底部贯穿缓冲孔固接有缓冲板，缓冲板和缓冲壳体之间固接有弹簧，限位板的底部设置有导向机构。本发明可实现压紧机构逐渐增大对光伏组件的压力，避免了压力突然施加过大造成光伏板组件的损坏，提高了生产质量。
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公开(公告)号：CN114823992A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210744789.6
申请日：2022-06-29
申请人： 英利能源发展有限公司
发明人： 王子谦 , 孟庆超 , 翟金叶 , 张伟 , 郎芳 , 徐卓 , 王红芳 , 马红娜 , 赵学玲 , 潘明翠 , 王平 , 张文辉 , 吝占胜 , 张雷 , 吴萌萌 , 王钰蕾 , 张任远 , 张莉沫 , 李英叶 , 张丽娜 , 李锋 , 史金超
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0288
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层及硼原位掺杂非晶硅层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼氧化硅层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。本发明提供的一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，大大简化了背接触电池背场和背发射极制备工艺步骤，降低电池成本。
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