发明公开
CN116435171A 复合薄膜及其制备方法
审中-实审
- 专利标题: 复合薄膜及其制备方法
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申请号: CN202310321651.X申请日: 2023-03-29
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公开(公告)号: CN116435171A公开(公告)日: 2023-07-14
- 发明人: 杨超 , 刘亚明 , 胡文 , 胡卉 , 张秀全 , 刘桂银
- 申请人: 济南晶正电子科技有限公司
- 申请人地址: 山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806
- 专利权人: 济南晶正电子科技有限公司
- 当前专利权人: 济南晶正电子科技有限公司
- 当前专利权人地址: 山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806
- 代理机构: 北京弘权知识产权代理有限公司
- 代理商 逯长明; 孙亚芹
- 主分类号: H01L21/02
- IPC分类号: H01L21/02
摘要:
本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法,包括:依次层叠设置的衬底层、多孔层、隔离层和有源层。其中,多孔层中分布有用于捕获游离的载流子的捕获孔,即由于捕获孔能够富集载流子,从而抵抗隔离层的缺陷对载流子的吸引。另外,由于隔离层与衬底层被多孔层隔离开,所以隔离层的缺陷无法吸引衬底层中游离的载流子聚集在隔离层朝向衬底层的界面上,进而解决了现有技术中衬底层与隔离层的接触界面上产生表面寄生电导效应的问题,改善了接触界面附近的有效电阻率,提高复合薄膜的整体性能。
IPC分类: