-
公开(公告)号：CN117497477A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311251407.7
申请日：2023-09-26
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/477
摘要： 本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，对功能注入片进行第一次退火处理，待功能注入片与衬底键合后再进行第二次退火处理使注入层断裂，薄膜层转移至衬底上，形成复合薄膜。在第一次退火处理时可使功能注入片的注入层内的离子产生气泡，从而使第二次退火处理时，可以相对较低的温度使注入层断裂，完成键合体的分离工作，避免现有技术中因高温以及退火处理时间较长导致的键合体破裂问题的发生。
-
公开(公告)号：CN116779419A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310759448.0
申请日：2023-06-26
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，包括依次层叠设置的陶瓷基板、隔离层和有源层；其中，陶瓷基板的材质包括尖晶石、氧化铝、氧化镁、莫来石、堇青石、氧化钙、二氧化钛、氮化铝、二氧化硅、氮化硅和碳化硅中的至少一者。由于陶瓷基板中具有空位缺陷，能够捕获载流子，避免载流子移动至与隔离层接触的表面，进而避免复合薄膜发生表面寄生电导效应，解决了现有技术中具有硅材质的衬底层的复合薄膜易发生表面寄生电导效应的问题。另外，本申请的陶瓷基板的价格相较现有技术中的硅材质的衬底层价格低，即，在提高复合薄膜性能的同时，降低了复合薄膜的生产成本。
-
公开(公告)号：CN115207206A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202211125224.6
申请日：2022-09-16
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L41/253 , H01L41/312 , H01L41/08 , C30B31/22 , C30B33/02
摘要： 本申请属于半导体材料领域，具体提供一种近化学计量比复合薄膜及其制备方法，所述制备方法在进行离子注入分离后，采用两步退火法对剥离所得单晶复合薄膜进行退火处理，并且，在退火前在压电薄膜的表面设置隔离层，从而一方面降低单晶压电薄膜的锂损失，另一方面抑制在退火过程中，由单晶压电薄膜分解所得氧化锂的外逸，进而使制得的单晶压电薄膜中的压电材料保持近化学计量比。
-
公开(公告)号：CN114496733B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210392221.2
申请日：2022-04-15
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
摘要： 本申请公开一种高电阻率复合衬底、制备方法及电子元器件，属于半导体技术领域，在衬底层上制备第一厚度的多晶硅层；在多晶硅层上制备吸杂层，得到预制备体，其中，吸杂层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；对预制备体进行退火处理，使预制备体内杂质由第一界面向第二界面方向迁移；去除吸杂层以及第二厚度的多晶硅层，使剩余的多晶硅层的厚度满足目标厚度要求，得到复合衬底。通过吸杂层与高温退火相结合的方式，激活衬底层与多晶硅界面处的杂质，并使杂质迁移至吸杂层与多晶硅层界面附近，然后通过去除吸杂层与靠近吸杂层附近的一部分多晶硅层的方式移除衬底层与多晶硅层界面的杂质，获得具有低损耗、高电阻率的复合衬底。
-
公开(公告)号：CN114497197A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210392175.6
申请日：2022-04-15
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
摘要： 本申请提供一种具有捕获结构的复合衬底及其制备方法及电子元器件，本申请提供的技术方案属于半导体器件领域，所述复合衬底包括依次设置的衬底基板、缺陷层、绝缘层和有源层，在所述衬底基板与所述缺陷层之间具有包括负电荷活性中心的捕获结构，所述捕获结构中的负电荷活动中心能够吸附缺陷层中的金属阳离子，从而抑制PSC。
-
公开(公告)号：CN114388688A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111641490.X
申请日：2021-12-29
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L41/253 , H01L41/312 , H01L41/332 , H01L41/18 , H01L41/187
摘要： 本申请公开一种基于等离子体刻蚀的黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法，包括准备压电晶圆和衬底基板，其中，所述压电晶圆为铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆；利用离子注入‑键合法或者键合‑研磨抛光法，制备得到单晶压电复合薄膜，其中，所述单晶压电复合薄膜包括依次层叠的衬底基板和目标厚度的薄膜层；对所述单晶压电复合薄膜中薄膜层进行等离子体刻蚀处理，其中，所述等离子体刻蚀处理所使用的等离子体包括还原性等离子体和/或惰性等离子体；对黑化后的薄膜层研磨抛光处理，得到黑化单晶压电复合薄膜。通过等离子体刻蚀方法对薄膜层处理，使薄膜层内氧空位浓度提升，从而实现修复薄膜层的黑化或者抑制薄膜层的白化。
-
公开(公告)号：CN114068803A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111352850.4
申请日：2021-11-16
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L41/253 , H01L41/312 , H01L41/187 , H01L41/18
摘要： 本申请公开的一种基于离子注入的黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法，利用离子注入技术，先将剥离离子注入铌酸锂或钽酸锂晶圆内，然后将还原性离子注入到铌酸锂或钽酸锂晶圆的薄膜层内，经过键合、热处理步骤后，剥离离子注入使得键合体在分离层断开分离，还原性离子注入会占据薄膜层中原本更高价态离子的格点，增加铌酸锂或钽酸锂晶体中的氧空位浓度，使单晶薄膜内的载流子浓度提升，进而提高单晶薄膜的电导率，降低电阻率，随后对单晶薄膜进行退火修复，能够有效降低复合薄膜的热释电效应。
-
公开(公告)号：CN116435171A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310321651.X
申请日：2023-03-29
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，包括：依次层叠设置的衬底层、多孔层、隔离层和有源层。其中，多孔层中分布有用于捕获游离的载流子的捕获孔，即由于捕获孔能够富集载流子，从而抵抗隔离层的缺陷对载流子的吸引。另外，由于隔离层与衬底层被多孔层隔离开，所以隔离层的缺陷无法吸引衬底层中游离的载流子聚集在隔离层朝向衬底层的界面上，进而解决了现有技术中衬底层与隔离层的接触界面上产生表面寄生电导效应的问题，改善了接触界面附近的有效电阻率，提高复合薄膜的整体性能。
-
公开(公告)号：CN115207206B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211125224.6
申请日：2022-09-16
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L41/253 , H01L41/312 , H01L41/08 , C30B31/22 , C30B33/02
摘要： 本申请属于半导体材料领域，具体提供一种近化学计量比复合薄膜及其制备方法，所述制备方法在进行离子注入分离后，采用两步退火法对剥离所得单晶复合薄膜进行退火处理，并且，在退火前在压电薄膜的表面设置隔离层，从而一方面降低单晶压电薄膜的锂损失，另一方面抑制在退火过程中，由单晶压电薄膜分解所得氧化锂的外逸，进而使制得的单晶压电薄膜中的压电材料保持近化学计量比。
-
公开(公告)号：CN114373711A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111627242.X
申请日：2021-12-28
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12
摘要： 本申请提供一种高电阻率的复合衬底及其制备方法，包括对硅衬底表面进行等离子体处理，将等离子体处理后的硅衬底置于含有水分的环境中，形成表面吸附有水分子的硅衬底层和在吸附有水分子的硅衬底表面上制备多晶硅层，在硅衬底层与多晶硅层之间生成介质层，获得复合衬底。本申请通过采用等离子体处理与制备多晶硅相结合的方式在硅衬底与多晶硅界面制备氧化硅薄膜介质层，抑制在后续的高温制备工艺中多晶硅层晶粒重构的程度，保持多晶硅层的稳定和载流子陷阱的富集，使多晶硅层保持较高的载流子捕获能力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
30 条记录 (耗时 0.04 秒)
