发明公开
- 专利标题： 薄膜晶体管、包括其的显示设备和制备薄膜晶体管的方法
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申请号： CN202211665373.1申请日： 2022-12-23
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公开(公告)号： CN116435309A公开(公告)日： 2023-07-14
- 发明人: 金亨俊 , 鲁容泳 , 林俊亨 , 朱慧慧
- 申请人： 三星显示有限公司 , 浦项工科大学校产学协力团
- 申请人地址： 韩国京畿道龙仁市;
- 专利权人： 三星显示有限公司,浦项工科大学校产学协力团
- 当前专利权人： 三星显示有限公司,浦项工科大学校产学协力团
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道龙仁市;
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 杨帆; 程月
- 优先权： 10-2021-0187764 20211224 KR
- 主分类号： H01L27/12
- IPC分类号： H01L27/12 ; H10K19/10 ; H10K71/00 ; H10K59/12 ; H10K59/125
摘要：
提供了薄膜晶体管、包括其的显示设备和制备薄膜晶体管的方法，所述薄膜晶体管包括：栅电极；栅极绝缘层，与栅电极接触；半导体层，通过栅极绝缘层与栅电极绝缘；以及源电极和漏电极，与半导体层接触，其中，半导体层包括由式1表示的钙钛矿化合物：式1[A]2[B][X]6:Z，其中，在式1中，A包括单价有机阳离子、单价无机阳离子或它们的组合，B包括Sn4+，X包括单价阴离子，并且Z包括金属阳离子或准金属阳离子。
IPC分类:
