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公开(公告)号：CN117913097A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311349118.0
申请日：2023-10-18
申请人： 三星显示有限公司 , 浦项工科大学校产学协力团
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/24 , H01L21/34 , H01L29/786 , H10K59/121 , H10K59/12 , H10K71/00 , G09F9/33
摘要： 本申请涉及显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括：基板；位于基板上的薄膜晶体管；以及电连接至薄膜晶体管的发光二极管，其中薄膜晶体管包括：半导体层，在半导体层中限定了源区、漏区和沟道区；栅电极，与半导体层绝缘并与半导体层重叠；源电极，电连接至源区；以及漏电极，电连接至漏区，其中半导体层包括包含过渡金属和硫属元素的结晶的金属硫属化物，并且具有层状结构。
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公开(公告)号：CN116435309A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211665373.1
申请日：2022-12-23
申请人： 三星显示有限公司 , 浦项工科大学校产学协力团
IPC分类号： H01L27/12 , H10K19/10 , H10K71/00 , H10K59/12 , H10K59/125
摘要： 提供了薄膜晶体管、包括其的显示设备和制备薄膜晶体管的方法，所述薄膜晶体管包括：栅电极；栅极绝缘层，与栅电极接触；半导体层，通过栅极绝缘层与栅电极绝缘；以及源电极和漏电极，与半导体层接触，其中，半导体层包括由式1表示的钙钛矿化合物：式1[A]2[B][X]6:Z，其中，在式1中，A包括单价有机阳离子、单价无机阳离子或它们的组合，B包括Sn4+，X包括单价阴离子，并且Z包括金属阳离子或准金属阳离子。
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公开(公告)号：CN115132924A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210152783.X
申请日：2022-02-18
申请人： 三星显示有限公司 , 浦项工科大学校产学协力团
摘要： 一种薄膜晶体管，包括：栅极电极；绝缘层，设置在所述栅极电极上；以及有源层，设置在所述绝缘层上，其中，所述有源层包括由下式表示的钙钛矿化合物：AB(1‑u)C(u)[X(1‑v)Y(v)]3，其中，A是一价有机阳离子、一价无机阳离子或它们的任何组合，B是Sn2+，C是二价阳离子或三价阳离子，X是一价阴离子，Y是不同于X的一价阴离子，u是大于0且小于1的实数，并且v是大于0且小于1的实数。
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公开(公告)号：CN108699661A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780014102.0
申请日：2017-11-22
申请人： 浦项工科大学校产学协力团 , 株式会社启洋精密
CPC分类号： C21D2211/001 , C22C38/02 , C22C38/34 , C22C38/58
摘要： 本文涉及在用低成本的合金元素替代诸如涡轮增压器在极高温度下使用的耐高温不锈钢中大量包含的昂贵的合金元素Ni的同时，还能够实现等于或高于传统耐热不锈钢的高温物性。本发明的奥氏体钢，其特征在于，包含C:0.4至0.5重量％、Si:1.0至2.0重量％、Mn:5.0至8.0重量％、Ni:13.5至16.5重量％、Cr:23至26重量％，其余为Fe和其他不可避免的杂质，以及所述合金元素中Mn含量与Ni含量的比率，CMn/CNi保持在0.3至0.9的范围内。
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公开(公告)号：CN114361195A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111188082.3
申请日：2021-10-12
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/15
摘要： 提供了一种显示装置及制造其的方法。该显示装置包括：第一导电层，设置在基底上；钝化层，设置在第一导电层上；第二导电层，设置在钝化层上；通孔层，设置在第二导电层上；第三导电层，设置在通孔层上，第三导电层包括第一电极、第二电极、连接图案，第一电极、第二电极和连接图案彼此间隔开；以及发光元件，发光元件的第一端部和第二端部分别设置在第一电极和第二电极上，其中，连接图案通过穿透通孔层和钝化层的第一接触孔将第一导电层和第二导电层电连接。
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公开(公告)号：CN114203770A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111096616.X
申请日：2021-09-16
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 本申请涉及显示装置及制造显示装置的方法。显示装置包括：衬底；像素电路层，在衬底上并包括薄膜晶体管；显示元件层，在像素电路层上并且包括电连接到薄膜晶体管的显示元件；滤色器层，在显示元件层上，并且包括滤色器和黑色矩阵，滤色器与显示元件重叠，黑色矩阵具有与滤色器接触的第一侧和在衬底的边缘方向上延伸的第二侧；以及阻挡层，在黑色矩阵和衬底之间，其中，阻挡层的末端与黑色矩阵的端部没有台阶差。
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公开(公告)号：CN114171558A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111042418.5
申请日：2021-09-07
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 本发明公开一种显示装置和制造该显示装置的方法。显示装置包括：第一晶体管，包括位于基板上的遮光图案、位于遮光图案上的有源图案以及位于有源图案上的栅电极；第二晶体管，被配置为响应于栅信号而将数据电压提供到第一晶体管；以及存储电容器，电连接到栅电极和遮光图案，并且包括：与遮光图案位于同一层中的第一导电图案；位于第一导电图案上并且与第一导电图案重叠的第二导电图案；与栅电极位于同一层中、与第二导电图案重叠并且电连接到第一导电图案的第三导电图案；以及位于第三导电图案上、与第三导电图案重叠并且电连接到第二导电图案的第四导电图案。
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公开(公告)号：CN113972231A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110743264.6
申请日：2021-07-01
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：基底；第一半导体层，设置在基底上，其中，第一半导体层包括沟道区和掺杂区；第一栅电极，设置为与第一半导体层的沟道区叠置；中间膜，设置在第一半导体层和第一栅电极上；以及第一电极，设置在中间膜上，其中，开口被限定为穿过中间膜以与第一半导体层的掺杂区叠置，第一半导体层的掺杂区和第一电极通过开口彼此接触，并且开口的与基底平行的剖面的面积在约49μm2至约81μm2的范围内。
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公开(公告)号：CN112563306A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010972042.7
申请日：2020-09-16
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 本发明公开了显示设备。显示设备包括第一像素、第二像素、连接到第一像素的第一数据线以及连接到第二像素的第二数据线。第一像素和第二像素中的每个包括：晶体管，包括导电层、在导电层上的半导体层、在半导体层上的栅电极以及连接到半导体层的源/漏电极；电容器，包括与栅电极在同一层中的第一电容器电极和在第一电容器电极上的第二电容器电极；以及在晶体管和电容器上的发光器件。第一数据线与源/漏电极在同一层中，并且第二数据线与导电层和第二电容器电极中的一个在同一层中。
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公开(公告)号：CN112331674A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202010668282.8
申请日：2020-07-13
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/77 , H01L21/336
摘要： 提供了显示装置和显示装置的制造方法。显示装置包括连接到扫描线和与扫描线相交的数据线的像素，像素中的每个包括发光元件、以及配置成根据从数据线施加的数据电压来控制供给到发光元件的驱动电流的第一晶体管，第一晶体管包括第一有源层和第一氧化物层，其中，第一有源层具有氧化物半导体，第一氧化物层位于第一有源层上并且具有包含锡(Sn)的结晶氧化物。
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