发明公开
- 专利标题： 一种掺杂的二硒化钼及其制备和应用
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申请号： CN202211594750.7申请日： 2022-12-13
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公开(公告)号： CN116443819A公开(公告)日： 2023-07-18
- 发明人: 龙羿 , 胡晓锐 , 周渠 , 曾文 , 薛斌 , 黄龙 , 徐婷婷 , 池磊 , 孙正凯 , 朱彬 , 刘一畔 , 邓雯玲 , 许珂 , 王敏
- 申请人： 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
- 申请人地址： 重庆市渝北区青枫北路20号凤凰D座;
- 专利权人： 国网重庆市电力公司营销服务中心,国家电网有限公司
- 当前专利权人： 国网重庆市电力公司营销服务中心,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址： 重庆市渝北区青枫北路20号凤凰D座;
- 代理机构： 北京中强智尚知识产权代理有限公司
- 代理商 朱春元
- 主分类号： C01B19/00
- IPC分类号： C01B19/00 ; G01N27/407
摘要：
本发明涉及气敏传感材料制备技术领域，具体的说一种掺杂的二硒化钼及其制备和作为能够检测电池热失控过程释放气体的气敏传感材料中的应用。将掺杂源与水热法制备获得花状MoSe2反应，获得掺杂的二硒化钼。所述掺杂的二硒化钼在作为检测电池热失控过程释放气体的气敏传感材料。本发明所得掺杂的二硒化钼具有复杂的分层形态具有更大的特殊表面积，能够提供更多的扩散路径，进而将其作为气敏材料。
