发明授权
- 专利标题： 一种在系统可编程PD芯片及其编程方法
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申请号： CN202310678451.X申请日： 2023-06-09
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公开(公告)号： CN116453569B公开(公告)日： 2023-09-15
- 发明人: 王春华
- 申请人： 南京沁恒微电子股份有限公司
- 申请人地址： 江苏省南京市雨花台区宁双路18号
- 专利权人： 南京沁恒微电子股份有限公司
- 当前专利权人： 南京沁恒微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市雨花台区宁双路18号
- 主分类号： G11C16/34
- IPC分类号： G11C16/34 ; G06F30/34
摘要：
本发明公开了一种在系统可编程PD芯片及其编程方法，当需要编程时，PD芯片与供电端交互信息，供电端提供特定高压，编程管理模块开启编程高压控制电路为存储单元阵列提供编程高压，高压供电期间由降压电路为芯片各模块提供正常工作电压，省去了结构复杂、面积较大的升压电荷泵，能够用OTP存储单元实现多次编程效果。本发明电路简单、MASK模具层数少、晶圆制造光刻次数少、芯片面积小、成本低。
公开/授权文献
- CN116453569A 一种在系统可编程PD芯片及其编程方法 公开/授权日：2023-07-18
