发明公开
- 专利标题: 具有直接接合的微电子组件中的屏蔽结构
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申请号: CN202180077797.3申请日: 2021-09-24
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公开(公告)号: CN116457936A公开(公告)日: 2023-07-18
- 发明人: A·A·埃尔谢尔比尼 , G·S·帕斯达斯特 , K·俊 , 钱治国 , J·M·斯旺 , A·阿列克索夫 , S·M·利夫 , M·E·卡比尔 , F·艾德 , K·P·奥布莱恩 , H·W·田
- 申请人: 英特尔公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚
- 专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 林金朝
- 优先权: 17/127,382 20201218 US
- 国际申请: PCT/US2021/051899 2021.09.24
- 国际公布: WO2022/132272 EN 2022.06.23
- 进入国家日期: 2023-05-18
- 主分类号: H01L23/00
- IPC分类号: H01L23/00
摘要:
本文公开了微电子组件以及相关的设备和方法。在一些实施例中,微电子组件可以包括第一微电子部件,具有第一表面和相反的第二表面,所述第一微电子部件包括在第二表面处的第一直接接合区域,所述第一直接接合区域具有第一金属触点和在第一金属触点中的相邻第一金属触点之间的第一电介质材料;第二微电子部件,具有第一表面和相反的第二表面,所述第二微电子部件包括在第一表面处的第二直接接合区域,所述第二直接接合区域具有第二金属触点和在所述第二金属触点中的相邻第二金属触点之间的第二电介质材料,其中,所述第二微电子部件通过所述第一直接接合区域和所述第二直接接合区域耦接到所述第一微电子部件;以及在第一直接接合电介质材料中的屏蔽结构,至少部分地围绕所述第一金属触点中的一个或多个第一金属触点。
IPC分类: