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公开(公告)号：CN116457936A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202180077797.3
申请日：2021-09-24
申请人： 英特尔公司
发明人： A·A·埃尔谢尔比尼 , G·S·帕斯达斯特 , K·俊 , 钱治国 , J·M·斯旺 , A·阿列克索夫 , S·M·利夫 , M·E·卡比尔 , F·艾德 , K·P·奥布莱恩 , H·W·田
IPC分类号： H01L23/00
摘要： 本文公开了微电子组件以及相关的设备和方法。在一些实施例中，微电子组件可以包括第一微电子部件，具有第一表面和相反的第二表面，所述第一微电子部件包括在第二表面处的第一直接接合区域，所述第一直接接合区域具有第一金属触点和在第一金属触点中的相邻第一金属触点之间的第一电介质材料；第二微电子部件，具有第一表面和相反的第二表面，所述第二微电子部件包括在第一表面处的第二直接接合区域，所述第二直接接合区域具有第二金属触点和在所述第二金属触点中的相邻第二金属触点之间的第二电介质材料，其中，所述第二微电子部件通过所述第一直接接合区域和所述第二直接接合区域耦接到所述第一微电子部件；以及在第一直接接合电介质材料中的屏蔽结构，至少部分地围绕所述第一金属触点中的一个或多个第一金属触点。
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公开(公告)号：CN107924993B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201580082488.X
申请日：2015-09-18
申请人： 英特尔公司
摘要： 公开了用于制造自旋转移矩存储器(STTM)元件的技术。在一些实施例中，该技术包括用于去除再沉积的层和/或中断在STTM元件的一个或多个侧壁上形成的再沉积层在其形成期间的电气连续性的方法。还描述了包括这样的STTM元件的器件和系统。
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公开(公告)号：CN118281072A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311266568.3
申请日：2023-09-27
申请人： 英特尔公司
发明人： C-C·林 , K·P·奥布莱恩 , A·V·佩努马季哈 , C·多罗 , K·马克西 , C·H·内勒 , 褚涛 , 许国伟 , U·阿维奇 , 张凤 , 洪挺翔 , A·北村 , M·S·卡夫里克
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/34 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 公开了具有与绝缘体材料支撑物堆叠在一起的沟道材料的晶体管。晶体管和集成电路系统包括材料层的堆叠体内的2D沟道材料层，还包括位于2D沟道材料层上方和/或下方的一个或多个绝缘体(例如，电介质)材料。这些支撑绝缘体层可以是非牺牲性的，而起始材料堆叠体内的其他材料层可以是牺牲性的，例如由栅极绝缘体和/或栅极材料替代。在一些示例性实施例中，2D沟道材料是金属硫属化物，并且支撑绝缘体层有利地是具有低介电常数的电介质材料成分。
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公开(公告)号：CN108701755A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082763.2
申请日：2016-03-28
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/329 , H01F41/32 , H01L21/0273 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/3212 , H01L21/32134 , H01L21/76802 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/7685 , H01L21/76877 , H01L23/528 , H01L23/53238 , H01L27/226 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 描述了用于集成磁随机存取存储器(MRAM)器件的互连包覆过程的方案以及所产生的结构。在示例中，一种存储器结构包括：设置在衬底上方的电介质层的沟槽中的互连，所述互连包括设置在所述沟槽的底部并且沿所述沟槽的侧壁设置到所述电介质层的最高表面的扩散阻挡层、设置在所述扩散阻挡层上并且凹陷到所述电介质层的最高表面和所述扩散阻挡层的最高表面下方的导电填充层、以及设置在所述导电填充层上以及所述扩散阻挡层的侧壁部分之间的导电帽盖层。存储器元件设置在所述互连的导电帽盖层上。
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公开(公告)号：CN108140724B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201580084066.6
申请日：2015-11-23
申请人： 英特尔公司
摘要： 在本文公开了磁阻式随机存取存储器(MRAM)器件的电接触部和相关存储器结构、器件和方法。例如，MRAM器件的电接触部可包括：钽区；由第一材料形成的阻挡区；以及由第二材料形成并设置在钽区和阻挡区之间的钝化区，其中第二材料包括氮化钽且不同于第一材料。
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公开(公告)号：CN108292701B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201580084836.7
申请日：2015-12-24
申请人： 英特尔公司
摘要： 公开了具有提高的隧穿磁阻比(TMR)的存储器单元。在一些实施方式中，这样的设备可以包括与隧穿磁阻在增强元件(TMRE)串联耦合的磁阻式隧道结(MTJ)元件。MTJ元件和TMRE中的每个可以配置成例如响应于电压而在高和低电阻状态之间转换。在一些实施方式中，MTJ和TMRE配置成使得当读取电压施加到单元同时MTJ处于其低电阻状态中时，TMRE被驱动到低电阻状态，以及当这样的电压被施加同时MTJ处于其高电阻状态中时，TMRE保持在其高电阻状态中。还公开了包括这样的存储器单元的设备和系统。
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公开(公告)号：CN114203685A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110948263.5
申请日：2021-08-18
申请人： 英特尔公司
发明人： A·A·厄尔舍比尼 , 钱治国 , G·S·帕斯达斯特 , M·E·卡比尔 , 邓汉威 , 全箕玟 , K·P·奥布莱恩 , J·M·斯旺 , S·M·利夫 , A·阿列克索夫 , F·尔德
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/64 , H01L23/482
摘要： 本公开涉及具有直接键合区中的电感器的微电子组装件。本文公开了包括通过直接键合而耦合在一起的微电子组件的微电子组装件以及相关的结构和技术。例如，在一些实施例中，微电子组装件可以包括第一微电子组件和通过直接键合区与第一微电子组件耦合的第二微电子组件，其中，所述直接键合区包括电感器的至少一部分。
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公开(公告)号：CN107995976B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201580079992.4
申请日：2015-06-17
申请人： 英特尔公司
发明人： C·C·郭 , J·S·布罗克曼 , J·G·阿尔萨特维纳斯科 , K·奥乌兹 , K·P·奥布莱恩 , B·S·多伊尔 , M·L·多齐 , S·苏里 , R·S·周 , P·马吉 , R·皮拉里塞泰 , E·V·卡尔波夫
IPC分类号： G06F7/58
摘要： 描述了一种装置，包括：磁隧道结(MTJ)器件，其具有其自由磁性层和固定磁性层的平面外磁化，并且被配置为具有远离中心并且较接近该MTJ器件的切换阈值的磁化偏移；以及逻辑单元，其用于根据MTJ器件的电阻状态产生随机数。
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公开(公告)号：CN113809168A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202011522427.X
申请日：2020-12-21
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/34
摘要： 实施例包括二维(2D)半导体片晶体管以及形成这种器件的方法。在实施例中，一种半导体器件包括2D半导体片的堆叠体，其中，所述2D半导体片中的个体2D半导体片具有第一端和与第一端相对的第二端。在实施例中，第一间隔体在所述2D半导体片的第一端之上，并且第二间隔体在所述2D半导体片的第二端之上。实施例还包括在第一间隔体与第二间隔体之间的栅电极、与所述2D半导体片的第一端相邻的源极接触部和与所述2D半导体片的第二端相邻的漏极接触部。
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公开(公告)号：CN107667438B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201580080340.2
申请日：2015-06-26
申请人： 英特尔公司
摘要： 实施例包括一种装置，所述装置包括：衬底；以及包括固定层以及第一和第二自由层的垂直磁性隧道结(pMTJ)；其中(a)第一自由层包括钴(Co)、铁(Fe)和硼(B)，并且(b)第二自由层是外延的并且包括锰(Mn)和镓(Ga)。本文描述了其它实施例。
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