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公开(公告)号：CN119153491A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202311861952.8
申请日：2023-12-29
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/78 , H01L23/528 , H01L23/00 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及基于背面接触的管芯边缘保护环。描述了一种保护环。在示例中，半导体管芯包括有源器件层，该有源器件层包括多个纳米带器件。电介质结构位于有源器件层之上。第一管芯边缘金属保护环位于电介质结构中并且围绕多个纳米带器件的外周。多个金属化层位于电介质结构中并且在第一管芯边缘金属保护环内。多个直接背面接触延伸到有源器件层。多个背面金属化结构位于多个直接背面接触下方。多个直接背面接触连接到多个背面金属化结构。第二管芯边缘金属保护环横向围绕多个背面金属化结构。
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公开(公告)号：CN114203683A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110948205.2
申请日：2021-08-18
Applicant: 英特尔公司
Inventor： A·A·埃尔舍比尼 , K·巴拉特 , K·P·奥布里恩 , 全箕玟 , 邓汉威 , M·E·卡比尔 , G·S·帕斯达斯特 , F·埃德 , A·亚列索夫 , J·M·斯万 , S·M·利夫
IPC: H01L25/07 , H01L23/64 , H01L23/482
Abstract: 本公开涉及具有直接键合区中的电感器的微电子组装件。本文公开了包括通过直接键合而耦合在一起的微电子组件的微电子组装件以及相关的结构和技术。例如，在一些实施例中，微电子组装件可以包括第一微电子组件和通过直接键合区与第一微电子组件耦合的第二微电子组件，其中，直接键合区包括电感器的至少一部分。
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公开(公告)号：CN116457936A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202180077797.3
申请日：2021-09-24
Applicant: 英特尔公司
Inventor： A·A·埃尔谢尔比尼 , G·S·帕斯达斯特 , K·俊 , 钱治国 , J·M·斯旺 , A·阿列克索夫 , S·M·利夫 , M·E·卡比尔 , F·艾德 , K·P·奥布莱恩 , H·W·田
IPC: H01L23/00
Abstract: 本文公开了微电子组件以及相关的设备和方法。在一些实施例中，微电子组件可以包括第一微电子部件，具有第一表面和相反的第二表面，所述第一微电子部件包括在第二表面处的第一直接接合区域，所述第一直接接合区域具有第一金属触点和在第一金属触点中的相邻第一金属触点之间的第一电介质材料；第二微电子部件，具有第一表面和相反的第二表面，所述第二微电子部件包括在第一表面处的第二直接接合区域，所述第二直接接合区域具有第二金属触点和在所述第二金属触点中的相邻第二金属触点之间的第二电介质材料，其中，所述第二微电子部件通过所述第一直接接合区域和所述第二直接接合区域耦接到所述第一微电子部件；以及在第一直接接合电介质材料中的屏蔽结构，至少部分地围绕所述第一金属触点中的一个或多个第一金属触点。
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公开(公告)号：CN116438653A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202180076177.8
申请日：2021-09-24
Applicant: 英特尔公司
Inventor： M·E·卡比尔 , A·A·埃尔谢尔比尼 , M·昌德霍克
IPC: H01L23/538
Abstract: 本文中公开的是包括通过直接接合耦合的微电子部件的微电子组件以及相关结构和技术。在一些实施例中，微电子组件可以包括：第一微电子部件，其包括延伸穿过其厚度的至少一部分并且沿周界延伸的第一保护环；第二微电子部件，其包括延伸穿过其厚度的至少一部分并且沿周界延伸的第二保护环，其中第一和第二微电子部件通过直接接合耦合；以及密封环，其通过将第一保护环耦合到第二保护环而形成。在一些实施例中，微电子组件可以包括微电子部件，微电子部件耦合到内插器，该内插器包括：位于第一表面处的第一衬层材料；位于相对的第二表面处的第二衬层材料；以及穿过内插器并且连接到第一和第二衬层材料的周界壁。
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公开(公告)号：CN118866870A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202311815108.1
申请日：2023-12-27
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/538
Abstract: 描述了穿硅过孔管芯。在示例中，半导体管芯包括具有器件侧和背侧的衬底。有源器件层在衬底的器件侧中或上。电介质结构在有源器件层上方。第一管芯边缘金属保护环在电介质结构中并且围绕衬底的外周界。多个金属化层在电介质结构中并且在第一管芯边缘金属保护环内。多个穿硅过孔在衬底中并延伸到电介质结构中，并且连接到多个金属化层。多个背侧金属化结构在衬底的背侧下方。多个穿硅过孔连接到多个背侧金属化结构。第二管芯边缘金属保护环横向围绕多个背侧金属化结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117594536A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310878687.8
申请日：2023-07-17
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本文公开了具有无机管芯间填充结构的IC管芯复合物。准单片多管芯复合物包括位于相邻的IC管芯之间的空间内的主要填充结构。可以具有无机成分的填充材料层可以接合到主体基板，并且可以被图案化，从而形成占据主体基板的第一部分的主要填充结构。IC管芯可以接合到主体基板的不存在主要填充结构的开口内的区域，从而具有与主要填充结构互补的空间布置。主要填充结构可以具有与IC管芯的厚度基本上匹配的厚度，并且/或者可以与IC管芯中的一个或多个IC管芯的表面共面。然后可以在开口的剩余部分内沉积间隙填充材料，从而形成占据IC管芯与主要填充结构之间的空间的次要填充结构。
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公开(公告)号：CN116314052A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211462455.6
申请日：2022-11-17
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本公开涉及混合接合的堆叠管芯封装组件的湿气密封涂层。在本文中描述根据实施例的具有湿气密封剂层的堆叠管芯组件。微电子封装结构具有第一管芯，其中，在第一管芯上具有第二管芯和相邻的第三管芯。第二和第三管芯中的每一个包括与第一管芯的混合接合界面。第一层在第一管芯的与第二和第三管芯的侧壁相邻的区上，并且与第一管芯的边缘部分相邻。第一层包括扩散阻挡层材料。第二层在第一层、第二层之上，其中，第二层的顶表面与第二和第三管芯的顶表面基本共面。第一层为堆叠管芯封装结构提供气密湿气密封剂层。
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公开(公告)号：CN119769198A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380053916.0
申请日：2023-07-07
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 姚计敏 , A·A·埃尔谢尔比尼 , X·F·布吕诺 , K·俊 , S·M·利夫 , J·M·斯旺 , 施弋 , T·塔卢克达尔 , F·艾德 , M·E·卡比尔 , O·G·卡尔哈德 , B·J·克里什纳特赖亚
Abstract: 本文公开了微电子组件、相关装置和方法。在一些实施例中，微电子组件可以包括在第一层中被电介质材料围绕的第一管芯和穿电介质过孔(TDV)，其中，TDV在第一层的第一表面处具有较大的宽度，而在第一层的相对的第二表面处具有较小的宽度；第二管芯，其被电介质材料围绕，位于第一层上的第二层中，其中，第一管芯通过间距小于10微米的互连耦合到第二管芯，并且第二管芯周围的电介质材料具有从第二层的第二表面朝向第二层的相对的第一表面延伸的界面接缝，界面接缝相对于第二表面的角度小于90度；以及位于第二层上并耦合到第二层的衬底。
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公开(公告)号：CN114203685A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110948263.5
申请日：2021-08-18
Applicant: 英特尔公司
Inventor： A·A·厄尔舍比尼 , 钱治国 , G·S·帕斯达斯特 , M·E·卡比尔 , 邓汉威 , 全箕玟 , K·P·奥布莱恩 , J·M·斯旺 , S·M·利夫 , A·阿列克索夫 , F·尔德
IPC: H01L25/07 , H01L23/64 , H01L23/482
Abstract: 本公开涉及具有直接键合区中的电感器的微电子组装件。本文公开了包括通过直接键合而耦合在一起的微电子组件的微电子组装件以及相关的结构和技术。例如，在一些实施例中，微电子组装件可以包括第一微电子组件和通过直接键合区与第一微电子组件耦合的第二微电子组件，其中，所述直接键合区包括电感器的至少一部分。
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公开(公告)号：CN114203684A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110948262.0
申请日：2021-08-18
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/482
Abstract: 本文公开了包括直接接合的微电子组件，以及相关的结构和技术。例如，在一些实施例中，微电子组件可以包括第一微电子部件和通过直接接合区耦合到第一微电子部件的第二微电子部件，其中直接接合区包括第一子区和第二子区，以及第一子区，并且第一子区具有比第二子区更大的金属密度。在一些实施例中，微电子组件可以包括第一微电子部件和通过直接接合区耦合到第一微电子部件的第二微电子部件，其中直接接合区包括第一金属接触和第二金属接触，第一金属接触具有比第二金属接触更大的面积，并且第一金属接触电耦合到第一微电子部件的电源/接地平面。
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